• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Электрические свойства тройных...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Autor corporatiu: Томский государственный университет (ТГУ)
Altres autors: Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель)
Sumari:Защита сост. 11.06.2008 г.
Idioma:rus
Publicat: Томск, [Б. и.], 2008
Matèries:
полупроводники
тройные соединения
радиационные дефекты
диарсениды
диарсенид цинка-олова
диарсенид цинка-германия
диарсенид цинка-кремния
диарсенид кадмия-олова
диарсенид кадмия-германия
диарсенид кадмия-кремния
бинарные аналоги
уровни Ферми
закрепление
авторефераты диссертаций
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=141542
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
    per: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
    Publicat: (Томск, [Б. и.], 2008)
  • Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
    per: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
    Publicat: (Томск, [Б. и.], 2008)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    per: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Publicat: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
    per: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Publicat: (Томск, [Б. и.], 2007)
  • Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
    per: Новиков В. А. Владимир Александрович
    Publicat: (Томск, [Б. и.], 2007)