Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения; Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)

Bibliografiset tiedot
Parent link:Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники).— 2007.— С. 427-429
Muut tekijät: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович, Ивонин И. В., Найден Е. П., Юрченко В. И.
Kieli:venäjä
Julkaistu: 2007
Aiheet:
Aineistotyyppi: Kirjan osa
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=137291

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 137291
005 20231031141018.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\148786 
090 |a 137291 
100 |a 20080507d2007 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
200 1 |a Полупроводниковые плёнки InP полученные методом импульсного ионного осаждения  |f М. С. Салтымаков [и др.] 
320 |a Библиогр.: 8 назв. 
463 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\140533  |y 5-902740-04-5  |t Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)  |o материалы XIII Международной научно-технической конференции, Москва, 6-8 сентября 2007 г.  |f Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш" [и др.]  |v С. 427-429  |d 2007  |p 456 с. 
610 1 |a плёнки 
610 1 |a ионное осаждение 
610 1 |a импульсное осаждение 
610 1 |a полупроводниковые плёнки 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Салтымаков  |b М. С.  |c физик  |c младший научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1982-  |g Максим Сергеевич  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30452 
701 1 |a Ремнев  |b Г. Е.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1948-  |g Геннадий Ефимович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22004 
701 1 |a Ивонин  |b И. В. 
701 1 |a Найден  |b Е. П. 
701 1 |a Юрченко  |b В. И. 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20080507  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150608  |g RCR 
942 |c BK