Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Detalles Bibliográficos
Autor Principal:	Новиков В. А. Владимир Александрович
Autor Corporativo:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Outros autores:	Брудный В. Н. Валентин Натанович (727)
Summary:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации
Idioma:	ruso
Publicado:	Томск, [Б. и.], 2007
Subjects:	полупроводниковые фосфиды свойства высокоэнергетическое облучение фосфид индия фосфид галия дифосфиды радиационные дефекты дифосфид кадмия олова дифосфид цинка германия авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ электронный ресурс
Acceso en liña:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2007/68.pdf
Formato:	Electrónico Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=127429

Títulos similares

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)

Исследование эволюции структурных дефектов в монокристаллах ZnGeP2, выращенных методом Бриджмена
Publicado: (2012)

Фосфид галлия
Publicado: (Кишинев, Ред.-изд. отдел АН Молдавской ССР, 1969)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Publicado: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Моделирование структур и хаоса в генераторе с протяжённым кристаллом, обладающим термозависимой оптической активностью
Publicado: (2008)

Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.10
por: Верозубова Г. А. Галина Александровна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)

Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2008)

The regularities of radiation defect formation at the interface metal -n-InP
por: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Publicado: (2016)

Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.10
por: Верозубова Г. А. Галина Александровна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2008)

Физика полупроводниковых и магнитных материалов сборник научных трудов
Publicado: (Орджоникидзе, [Б. и.], 1977)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2008)

Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук:
por: Верозубова Г. А. Галина Александровна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)

Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами
por: Войцеховский А. В.
Publicado: (2000)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия отдельный оттиск
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1969)

Поверхностные свойства сплавов на основе свинца, олова, индия, кадмия
por: Дадашев Р. Х.
Publicado: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2016)

Полупроводниковая электроника сборник научных трудов
Publicado: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Сложные полупроводники [монография]
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]
por: Кудряшов В. Е.
Publicado: (2003)

Оптоэлектронные излучательные приборы на основе фосфида индия и родственных материалов
por: Исмаилов И. Исроилжан
Publicado: (Душанбе, Дониш, 1986)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
por: Александрова О. А.
Publicado: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Publicado: (2011)

Поверхностные свойства сплавов на основе свинца, олова, индия, кадмия монография
por: Дадашев Р. Х. Райком Хасимханович
Publicado: (Москва, Физматлит, 2016)

Полуизолирующие соединения A III B V пер. с англ.
Publicado: (Москва, Металлургия, 1984)

Defect formation into Schottky barrier on InP
por: Peshev V. V.
Publicado: (2006)

Сваpка тpением стали P6М5 в pежиме свеpхпластичности пpи пpоизводстве pежущего инстpумента
Publicado: (2006)

Исследование стpуктуpного состояния сваpных соединений циpкониевых элементов ядеpных pеактоpов
Publicado: (2006)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Publicado: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Химия элементов. Лабораторный практикум учебное пособие
por: Калько О. А.
Publicado: (Череповец, ЧГУ, 2021)

The radiation defects introduction in InP Shottky diodes
por: Peshev V. V.
Publicado: (2006)

ИК-лазерное индуцированное изменение Eg в твёрдых растворах p-Cd1-xZnxTe
Publicado: (2011)

Влияние пластического дефоpмиpования на стpуктуpу сваpного соединения биметаллического pежущего инстpумента
Publicado: (2006)

Пеpеpаботка окисленных никелевых pуд с пpименением хлоpида аммония
por: Андреев А. А. Артем Андреевич
Publicado: (2010)

Modeling of dynamics of big size ZnGeP2 crystal growthby vertical Bridgman technique
Publicado: (2018)

Влияние способа сваpки на стpуктуpу и свойства сваpных соединений pазноpодных сталей
por: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Publicado: (2009)

Стpуктуpа сваpного соединения биметаллического свеpла после пластической дефоpмации
por: Советченко П. Б. Павел Борисович
Publicado: (2006)

P.'s Correspondence
por: Nathaniel H.
Publicado: (Санкт-Петербург, Лань, 2014)

Электpонно-лучевая наплавка каpбидосталей. Ч. 2. Особенности фоpмиpования стpуктуpы и свойств покpытий сталь P6M5+WC
por: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Publicado: (2007)