Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Bibliografiset tiedot
Päätekijä:	Новиков В. А. Владимир Александрович
Yhteisötekijä:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Muut tekijät:	Брудный В. Н. Валентин Натанович (727)
Yhteenveto:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации
Kieli:	venäjä
Julkaistu:	Томск, [Б. и.], 2007
Aiheet:	полупроводниковые фосфиды свойства высокоэнергетическое облучение фосфид индия фосфид галия дифосфиды радиационные дефекты дифосфид кадмия олова дифосфид цинка германия авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ электронный ресурс
Linkit:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2007/68.pdf
Aineistotyyppi:	Elektroninen Kirja
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=127429

Internet