Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Бібліографічні деталі
Автор:	Новиков В. А. Владимир Александрович
Співавтор:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Інші автори:	Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель)
Резюме:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации
Мова:	Російська
Опубліковано:	Томск, [Б. и.], 2007
Предмети:	полупроводниковые фосфиды свойства высокоэнергетическое облучение фосфид индия фосфид галия дифосфиды радиационные дефекты дифосфид кадмия олова дифосфид цинка германия авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ электронный ресурс
Онлайн доступ:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2007/68.pdf
Формат:	Електронний ресурс Книга
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=127429

Інтернет