Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Новиков В. А. Владимир Александрович
Korporativní autor: Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Další autoři: Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель)
Shrnutí:Заглавие с титульного экрана
Электронная версия печатной публикации
Jazyk:ruština
Vydáno: Томск, [Б. и.], 2007
Témata:
On-line přístup:http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2007/68.pdf
Médium: MixedMaterials Elektronický zdroj Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=127429

MARC

LEADER 00000nlm0a2200000 4500
001 127429
005 20231031132240.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\137853 
090 |a 127429 
100 |a 20071214d2007 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a dm 001zy 
135 |a drbn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах  |b Электронный ресурс  |e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |f В. А. Новиков  |g Томский государственный университет ; Сибирский физико-технический институт при Томском Госуниверситете ; науч. рук. В. Н. Брудный 
203 |a Текст  |c электронный 
210 |a Томск  |c [Б. и.]  |d 2007 
215 |a 1 файл (452 Kb) 
230 |a Электронные текстовые данные (1 файл : 452 Kb) 
300 |a Заглавие с титульного экрана 
300 |a Электронная версия печатной публикации 
337 |a Adobe Reader 
452 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\book\135910  |t Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах  |o автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |o спец. 01.04.10  |f В. А. Новиков  |g Томский государственный университет; Сибирский физико-технический институт при Томском Госуниверситете; науч. рук. В. Н. Брудный  |c Томск  |n Б.и.  |d 2007  |p 24 с.  |a Новиков, Владимир Александрович 
610 1 |a полупроводниковые фосфиды 
610 1 |a свойства 
610 1 |a высокоэнергетическое облучение 
610 1 |a фосфид индия 
610 1 |a фосфид галия 
610 1 |a дифосфиды 
610 1 |a радиационные дефекты 
610 1 |a дифосфид кадмия олова 
610 1 |a дифосфид цинка германия 
610 1 |a авторефераты диссертаций 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
675 |a 537.311.322:539(04)  |v 3 
686 |a 01.04.10  |2 oksvnk 
700 1 |a Новиков  |b В. А.  |g Владимир Александрович 
702 1 |a Брудный  |b В. Н.  |g Валентин Натанович  |4 727 
712 0 2 |a Томский государственный университет (ТГУ)  |b Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\861 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20071214  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20081021  |g PSBO 
856 4 |u http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2007/68.pdf 
942 |c CF