Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия

Detalles Bibliográficos
Autor Principal: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Outros autores: Суржиков А. П. Анатолий Петрович
Summary:В монографии обобщены и систематизированы результаты исследований стойкости полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия при облучении нейтронами, гамма-квантами, протонами и электронами различных энергий, а также при комбинированном (последовательном) облучении нейронами, протонами и электронами. Рассмотрено влияние технологических факторов на радиационную стойкость приборов, показана роль омических контактов в обеспечении радиационной стойкости диодов Ганна. Представлен механизм деградации диодов Ганна при облучении, позволяющий объяснить комплекс изменений параметров диодов. Книга предназначена для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, разработки и изготовлении изделий и устройств электронной техники, а также студентов соответствующих специальностей.
Idioma:ruso
Publicado: Томск, Изд-во ТПУ, 2005
Subjects:
Formato: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=126174

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 126174
005 20240131163044.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\136506 
090 |a 126174 
100 |a 20071126d2005 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия  |f А. В. Градобоев, А. П. Суржиков 
210 |a Томск  |c Изд-во ТПУ  |d 2005 
215 |a 277 с.  |c ил. 
320 |a Список литературы: с. 242-275. 
330 |a В монографии обобщены и систематизированы результаты исследований стойкости полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия при облучении нейтронами, гамма-квантами, протонами и электронами различных энергий, а также при комбинированном (последовательном) облучении нейронами, протонами и электронами. Рассмотрено влияние технологических факторов на радиационную стойкость приборов, показана роль омических контактов в обеспечении радиационной стойкости диодов Ганна. Представлен механизм деградации диодов Ганна при облучении, позволяющий объяснить комплекс изменений параметров диодов. Книга предназначена для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, разработки и изготовлении изделий и устройств электронной техники, а также студентов соответствующих специальностей. 
606 1 |a Полупроводниковые приборы сверхвысокочастотные  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50718  |9 69368 
610 1 |a электроника 
610 1 |a СВЧ-приборы 
610 1 |a сверхвысокочастотные полупроводниковые приборы 
610 1 |a диоды Ганна 
610 1 |a транзисторы Шоттки 
610 1 |a арсенид галлия 
610 1 |a облучение 
610 1 |a стойкость 
610 1 |a металлы 
610 1 |a омический контакт 
610 1 |a контактные явления 
610 1 |a радиационная стойкость 
610 1 |a импульсное ионизирующее излучение 
610 1 |a импульсное лазерное излучение 
610 1 |a прогнозирование 
675 |a 621.385.6:621.382  |v 3 
700 1 |a Градобоев  |b А. В.  |c российский физик  |c профессор Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1952-  |g Александр Васильевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\24213 
701 1 |a Суржиков  |b А. П.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1951-  |g Анатолий Петрович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22010  |9 9307 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20071126  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20130704  |g PSBO 
942 |c BK