| Summary: | В монографии обобщены и систематизированы результаты исследований стойкости полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия при облучении нейтронами, гамма-квантами, протонами и электронами различных энергий, а также при комбинированном (последовательном) облучении нейронами, протонами и электронами. Рассмотрено влияние технологических факторов на радиационную стойкость приборов, показана роль омических контактов в обеспечении радиационной стойкости диодов Ганна. Представлен механизм деградации диодов Ганна при облучении, позволяющий объяснить комплекс изменений параметров диодов. Книга предназначена для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, разработки и изготовлении изделий и устройств электронной техники, а также студентов соответствующих специальностей. |
|---|
