Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
| मुख्य लेखक: | |
|---|---|
| अन्य लेखक: | |
| सारांश: | В монографии обобщены и систематизированы результаты исследований стойкости полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия при облучении нейтронами, гамма-квантами, протонами и электронами различных энергий, а также при комбинированном (последовательном) облучении нейронами, протонами и электронами. Рассмотрено влияние технологических факторов на радиационную стойкость приборов, показана роль омических контактов в обеспечении радиационной стойкости диодов Ганна. Представлен механизм деградации диодов Ганна при облучении, позволяющий объяснить комплекс изменений параметров диодов. Книга предназначена для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, разработки и изготовлении изделий и устройств электронной техники, а также студентов соответствующих специальностей. |
| प्रकाशित: |
Томск, Изд-во ТПУ, 2005
|
| विषय: | |
| स्वरूप: | पुस्तक |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=126174 |
| भौतिक वर्णन: | 277 с. ил. |
|---|---|
| सारांश: | В монографии обобщены и систематизированы результаты исследований стойкости полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия при облучении нейтронами, гамма-квантами, протонами и электронами различных энергий, а также при комбинированном (последовательном) облучении нейронами, протонами и электронами. Рассмотрено влияние технологических факторов на радиационную стойкость приборов, показана роль омических контактов в обеспечении радиационной стойкости диодов Ганна. Представлен механизм деградации диодов Ганна при облучении, позволяющий объяснить комплекс изменений параметров диодов. Книга предназначена для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, разработки и изготовлении изделий и устройств электронной техники, а также студентов соответствующих специальностей. |