Resultados de búsqueda

Т. 11

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-мате... por Толбанов О. П. Олег Петрович

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия por Градобоев А. В. Александр Васильевич

Актуальные проблемы материаловедения [сборник обзоров] пер. с англ.

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия por Пешев В. В. Владимир Викторович

Арсенид галлия сборник статей

Разработка методов и средств измерений параметров полупроводниковых материалов и структур Отчет о НИР Тема: 10-36/89...

Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов. Межвузовская научно-т...

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев. Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях Промежут...

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами...

Кристалло-структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия и твердых сплавах типа ВК Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в с...

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением отчет о НИР тема: х/д 29/66...

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs монография por Миттова И. Я. Ирина Яковлевна

Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV por Мокроусов Г. М.

Enlace del recurso

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г....

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук... por Максимова Н. К.

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе por Черняев В. Н. Владимир Николаевич

Т. 1

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-м... por Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич