Основы проектирования субмикронных микросхем
מחבר ראשי: | |
---|---|
מחברים אחרים: | , |
סיכום: | В объеме 14 глав одной книги детально и последовательно рассмотрен весь комплекс взаимосвязанных теоретических и практических аспектов сквозного проектирования и организации производства кремниевых субмикронных микросхем: теоретические основы работы полевых и биполярных транзисторов, методы и особенности конструктивно-схематического проектирования, базовые схемотехнические и системотехнические решения биполярных, КМОП-, БиКМОПи КНИ-микросхем, методы и средства повышения их радиационной стойкости, стандартные библиотеки проектирования и типовые маршруты проектирования. Впервые в отечественной научно-технической литературе здесь детально рассмотрены методы логического проектирования КМОП-микросхем с пониженным энергопотреблением, а также основные принципы и методы проектирования кибербезопасных микросхем и систем-на-кристалле. Детально рассмотрены современные методы и средства управления качеством изготовления субмикронных микросхем, современные технологии корпусирования микросхем, систем-на-кристалле и систем в корпусе. Отдельная глава посвящена анализу состояния и тенденций развития современной микроэлектроники, включая методологический анализ существующих проблем и новых угроз. Книга ориентирована на широкий круг читателей: студентов и преподавателей технических университетов, а также инженеров и менеджеров, специализирующихся в области разработки и организации производства субмикронных микросхем. Книга из коллекции Техносфера - Инженерно-технические науки |
יצא לאור: |
Москва, Техносфера, 2020
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | https://e.lanbook.com/book/181223 https://e.lanbook.com/img/cover/book/181223.jpg |
פורמט: | אלקטרוני ספר |
MARC
LEADER | 00000nam0a2200000 i 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | RU-LAN-BOOK-181223 | ||
010 | |a 978-5-94836-603-6 | ||
100 | |a 20250516d2020 k y0rusy01020304ca | ||
101 | 0 | |a rus | |
102 | |a RU | ||
105 | |a y j 000zy | ||
106 | |a z | ||
200 | 1 | |a Основы проектирования субмикронных микросхем |b Электронный ресурс |f Белоус А. И.,Красников Г. Я.,Солодуха В. А. | |
210 | |a Москва |b Москва |c Техносфера |d 2020 | ||
215 | |a 782 с. | ||
330 | |a В объеме 14 глав одной книги детально и последовательно рассмотрен весь комплекс взаимосвязанных теоретических и практических аспектов сквозного проектирования и организации производства кремниевых субмикронных микросхем: теоретические основы работы полевых и биполярных транзисторов, методы и особенности конструктивно-схематического проектирования, базовые схемотехнические и системотехнические решения биполярных, КМОП-, БиКМОПи КНИ-микросхем, методы и средства повышения их радиационной стойкости, стандартные библиотеки проектирования и типовые маршруты проектирования. Впервые в отечественной научно-технической литературе здесь детально рассмотрены методы логического проектирования КМОП-микросхем с пониженным энергопотреблением, а также основные принципы и методы проектирования кибербезопасных микросхем и систем-на-кристалле. Детально рассмотрены современные методы и средства управления качеством изготовления субмикронных микросхем, современные технологии корпусирования микросхем, систем-на-кристалле и систем в корпусе. Отдельная глава посвящена анализу состояния и тенденций развития современной микроэлектроники, включая методологический анализ существующих проблем и новых угроз. Книга ориентирована на широкий круг читателей: студентов и преподавателей технических университетов, а также инженеров и менеджеров, специализирующихся в области разработки и организации производства субмикронных микросхем. | ||
333 | |a Книга из коллекции Техносфера - Инженерно-технические науки | ||
610 | 0 | |a цифровые микросхемы | |
610 | 0 | |a биполярные транзисторы | |
610 | 0 | |a диоды шоттки | |
610 | 0 | |a логические элементы | |
610 | 0 | |a элементы памяти | |
610 | 0 | |a схемотехника входных | |
610 | 0 | |a схемотехника выходных | |
610 | 0 | |a интегральная инжекционная логика | |
610 | 0 | |a бикмоп микросхемы | |
610 | 0 | |a радиационно-стойкие кмп бис | |
610 | 0 | |a ионизирующее облучение | |
610 | 0 | |a радиационные эффекты | |
610 | 0 | |a диэлектрические слои | |
610 | 0 | |a физические явления моп/кни-транзисторов | |
610 | 0 | |a разработка библиотеки проектирования | |
675 | |a 621.3 | ||
686 | |a 32.844.1 |2 rubbk | ||
700 | 1 | |a Белоус |b А. И. | |
701 | 1 | |a Красников |b Г. Я. | |
701 | 1 | |a Солодуха |b В. А. | |
801 | 1 | |a RU |b Издательство Лань |c 20250516 |g RCR | |
856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/181223 | |
856 | 4 | 1 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/181223.jpg |
953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/181223.jpg |