Физические основы кремниевой наноэлектроники, учебное пособие для вузов

Bibliographic Details
Main Author:	Зебрев Г. И.
Summary:	Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур». Книга из коллекции Лаборатория знаний - Нанотехнологии
Published:	Москва, Лаборатория знаний, 2020
Edition:	4-е изд.
Subjects:	наноэлектроника пространственные масштабы структура приборов энергии потенциалы электрохимический потенциал кинетика ток уравнение больцмана уравнение непрерывности волна длина когерентности математическое описание волн уравнение шредингера волновая функция стационарное уравнение шредингера электрон в яме плотность спектра энергетическая плотность состояний туннелирование цифровая техника логические вентили интегральные схемы планарная технология моп-транзистор кмоп-технология закон мура тактовая частота тепловыделение диссипация тепла адиабатическая логика быстродействие миниатюризация межсоединений принципы скейлинга компромиссы миниатюризации ограничения скейлинга контактная разность потенциалов электростатика слоев заряда падение потенциалов пороговое напряжение полный заряд полупроводника плотность электронов канала температурная зависимость порогового напряжения затворное напряжение подпороговая область модель bsim3 обратное смещение подложки насыщение скорости носителей ток насыщения мопт механизмы рассеяния носителей подвижность в надпороговом режиме короткоканальные эффекты мопт эффект спада порогового напряжения узкий канал геометрические эффекты порога индуцированное стоком понижение барьера паразитные токовые эффекты короткого канала оптимизация структуры истоков и стоков моделирование выходного сопротивления мопт эффект модуляции длины канала паразитные сопротивления стока и истока паразитные емкости стока и истока квазидвумерная модель распределения полей горячие носители методы борьбы с горячими носителями разогрев носителей моделирование ударной ионизации влияние тока подложки на работу мопт влияние горячих носителей на срок службы мопт методика прогнозирования срока службы транзистора электрохимический потенциал в канале мопт отношение диффузионной и дрейфовой компонент тока интегральное граничное условие распределение электрического и химического потенциалов вдоль канала общее выражение для тока в диффузионно-дрейфовой модели вольт-амперная характеристика в надпороговой области подпороговый режим время пролета электрона через канал транспортное уравнение больцмана в канале технология кремний-на-изоляторе кни мопт преимущества кни мопт конфигурации кни мопт частично обедненные кни мопт кинк-эффект паразитный биполярный эффект полностью обедненные кни мопт ультратонкие кни мопт сравнение полностью и частично обедненных кни мопт технологии многозатворных мопт электростатика полностью обедненного кни мопт пороговое напряжение полностью обедненного кни мопт включение мопт с нижним затвором вырожденный канал решение уравнения непрерывности в канале распределение плотности электронов вдоль канала надпороговый режим работы полностью обедненного кни мопт моделирование подпороговой характеристики полностью обедненного кни мопт структура энергопотребления в схемах кмоп-технологии токи утечки как ограничитель развития технологии классификация токов утечки современных мопт прямое туннелирование через подзатворный окисел механизм фаулера—нордгейма токи утечки через p–n-переход стока токи утечки стока индуцированные затвором high-k-диэлектрики проблемы использования high-k-диэлектриков временной диэлектрический пробой подзатворного окисла модели временного диэлектрического пробоя подзатворного окисла подпороговые токи утечки разброс пороговых напряжений транзисторов на одном чипе статистическое распределение подпороговых токов диффузный и баллистический перенос носителей в полупроводниках вольт-амперная характеристика баллистического транзистора транспорт носителей в узких каналах квантование проводимости квантовый точечный контакт роль контактов последовательные сопротивления и их аддитивность
Online Access:	https://e.lanbook.com/book/135537 https://e.lanbook.com/img/cover/book/135537.jpg
Format:	Electronic Book