СВЧ-приборы и интегральные микросхемы: Расчет параметров селективно легированного гетеротранзистор учебно-методическое пособие - Кольцов Г. И. (Москва, МИСИС, 2001)
В данном пособии излагаются физические принципы создания на границе гетероперехода, между широкозонным и узкозонным полупроводниковыми материалами, слоя двумерного электронного газа. Рассматриваются причины увеличения подвижности электронов и как следствие расширения частотного диапазона работы полевых транзисторов. Изучаются принципы работы полевых транзисторов с селективным легированием, их конструкции и методы управления концентрацией электронов в канале. Приводятся примеры расчета концентрации электронов, вольт - амперных и частотных характеристик СЛГТ