Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04

Détails bibliographiques
Auteur principal: Ли Цзень Фень
Collectivité auteur: Томский политехнический университет (ТПУ) Научно-исследовательский институт высоких напряжений (НИИВН)
Autres auteurs: Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович (научный руководитель)
Langue:russe
Publié: Томск, [Б. и.], 2006
Sujets:
Format: MixedMaterials Livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=99661

MARC

LEADER 00000nbm0a2200000 4500
001 99661
005 20231031111819.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\107006 
090 |a 99661 
100 |a 20060710j20060703k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a m 001zy 
200 1 |a Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком  |e диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук  |e спец. 05.09.02  |e спец. 01.04.04  |f Ли Цзень Фень  |g Научно-исследовательский институт высоких напряжений (НИИВН); науч. рук. Г. Е. Ремнев 
210 |a Томск  |c [Б. и.]  |d 2006 
215 |a 130 л.  |c ил. 
229 |a Защищена 3.07.2006 г. 
320 |a Библиогр.: с. 123-130 (91 назв.). 
610 1 |a тонкие пленки 
610 1 |a получение 
610 1 |a пленки арсенида галия 
610 1 |a импульсные мощные ионные пучки 
610 1 |a воздействие 
610 1 |a осаждение 
610 1 |a абляционная плазма 
610 1 |a диссертации 
675 |a 539.216.2(04)  |v 3 
686 |a 05.09.02  |2 oksvnk 
686 |a 01.04.04  |2 oksvnk 
700 1 |a Ли Цзень Фень 
702 1 |a Ремнев  |b Г. Е.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1948-  |g Геннадий Ефимович  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22004  |4 727 
712 0 2 |a Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Научно-исследовательский институт высоких напряжений (НИИВН)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\3249 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20060710  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150608  |g PSBO 
942 |c BK