Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
| অন্যান্য লেখক: | , |
|---|---|
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
Москва, Наука, 1973
|
| মালা: | Физика полупроводников и полупроводниковых приборов |
| বিষয়গুলি: | |
| বিন্যাস: | গ্রন্থ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=94000 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
প্রকাশিত: (Москва, Советское радио, 1972)
প্রকাশিত: (Москва, Советское радио, 1972)
Арсенид галлия: сборник статей
প্রকাশিত: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)
প্রকাশিত: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)
Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ.
অনুযায়ী: Шур М. С. Михаил Саулович
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1991)
অনুযায়ী: Шур М. С. Михаил Саулович
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1991)
Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1986)
প্রকাশিত: (Ташкент, Фан, 1986)
Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
অনুযায়ী: Сараева В. Е.
প্রকাশিত: (1989)
অনুযায়ী: Сараева В. Е.
প্রকাশিত: (1989)
Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
অনুযায়ী: Сытенко Т. Н.
প্রকাশিত: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
অনুযায়ী: Сытенко Т. Н.
প্রকাশিত: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1988)
প্রকাশিত: (Москва, Мир, 1988)
Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
অনুযায়ী: Ардышев М. В.
প্রকাশিত: (2002)
অনুযায়ী: Ардышев М. В.
প্রকাশিত: (2002)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
অনুযায়ী: Толбанов О. П. Олег Петрович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
অনুযায়ী: Толбанов О. П. Олег Петрович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
Gallium arsenide digital integrated circuit design
অনুযায়ী: Long Stephen I
প্রকাশিত: (New York, McGraw-Hill, 1990)
অনুযায়ী: Long Stephen I
প্রকাশিত: (New York, McGraw-Hill, 1990)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
অনুযায়ী: Толбанов О. П. Олег Петрович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1999)
অনুযায়ী: Толбанов О. П. Олег Петрович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1999)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
অনুযায়ী: Потапов А. И. Александр Иванович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
অনুযায়ী: Потапов А. И. Александр Иванович
প্রকাশিত: (Томск, 1999)
Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
প্রকাশিত: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)
প্রকাশিত: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)
Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
প্রকাশিত: (Москва, Радио и связь, 1988)
প্রকাশিত: (Москва, Радио и связь, 1988)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
অনুযায়ী: Потапов А. И. Александр Иванович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1999)
অনুযায়ী: Потапов А. И. Александр Иванович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 1999)
Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2002)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2002)
Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
প্রকাশিত: (Томск, 1988)
প্রকাশিত: (Томск, 1988)
Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
অনুযায়ী: Костылев С. А. Сергей Александрович
প্রকাশিত: (Киев, Наукова думка, 1990)
অনুযায়ী: Костылев С. А. Сергей Александрович
প্রকাশিত: (Киев, Наукова думка, 1990)
Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
অনুযায়ী: Максимова Н. К.
প্রকাশিত: (Томск, 1972)
অনুযায়ী: Максимова Н. К.
প্রকাশিত: (Томск, 1972)
Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Спирина А. А. Анна Александровна
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2023)
অনুযায়ী: Спирина А. А. Анна Александровна
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2023)
Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
অনুযায়ী: Семенова В. И. Валерия Игоревна
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Семенова В. И. Валерия Игоревна
প্রকাশিত: (2018)
Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
অনুযায়ী: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
অনুযায়ী: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
প্রকাশিত: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
প্রকাশিত: (Томск, 1985)
অনুযায়ী: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
প্রকাশিত: (Томск, 1985)
Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
অনুযায়ী: Криворотов Н. П. Николай Павлович
প্রকাশিত: (Томск, 2002)
অনুযায়ী: Криворотов Н. П. Николай Павлович
প্রকাশিত: (Томск, 2002)
Явления переноса носителей заряда и тепла в полупроводниках
প্রকাশিত: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)
প্রকাশিত: (Махачкала, Изд-во института физики ДФАН СССР, 1986)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
অনুযায়ী: Александрова О. А.
প্রকাশিত: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
অনুযায়ী: Александрова О. А.
প্রকাশিত: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением: отчет о НИР; тема: х/д 29/66
প্রকাশিত: (Томск, 1967)
প্রকাশিত: (Томск, 1967)
Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
অনুযায়ী: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
প্রকাশিত: (Томск, 2000)
অনুযায়ী: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
প্রকাশিত: (Томск, 2000)
Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Криворотов Н. П. Николай Павлович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2002)
অনুযায়ী: Криворотов Н. П. Николай Павлович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2002)
Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
অনুযায়ী: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2000)
অনুযায়ী: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2000)
Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2002)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2002)
Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
অনুযায়ী: Стебенева В. И.
প্রকাশিত: (2018)
অনুযায়ী: Стебенева В. И.
প্রকাশিত: (2018)
Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Криворотов Н. П. Николай Павлович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2002)
অনুযায়ী: Криворотов Н. П. Николай Павлович
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2002)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
প্রকাশিত: (2009)
প্রকাশিত: (2009)
Способ переработки отходов, содержащих арсенид галлия; Сборник избранных статей по материалам научных конференций ГНИИ "Нацразвитие"
অনুযায়ী: Семенова В. И. Валерия Игоревна
প্রকাশিত: (2019)
অনুযায়ী: Семенова В. И. Валерия Игоревна
প্রকাশিত: (2019)
Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
অনুযায়ী: Толбанов О. П.
প্রকাশিত: (2003)
অনুযায়ী: Толбанов О. П.
প্রকাশিত: (2003)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
প্রকাশিত: (2014)
প্রকাশিত: (2014)
Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
অনুযায়ী: Чернявский А. В. Александр Викторович
প্রকাশিত: (2011)
অনুযায়ী: Чернявский А. В. Александр Викторович
প্রকাশিত: (2011)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
Электронно-дырочные капли в полупроводниках
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1988)
প্রকাশিত: (Москва, Наука, 1988)