|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
93773 |
| 005 |
20231031105345.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\100399
|
| 090 |
|
|
|a 93773
|
| 100 |
|
|
|a 20060403d1980 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Лавинный пробой p-n - перехода в полупроводниках
|f И. В. Грехов, Ю. Н. Сережкин
|
| 210 |
|
|
|a Ленинград
|c Энергия
|d 1980
|
| 215 |
|
|
|a 152 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 146-150
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a пробой
|
| 610 |
1 |
|
|a лавинный пробой
|
| 610 |
1 |
|
|a ионизация
|
| 610 |
1 |
|
|a микроплазмы
|
| 610 |
1 |
|
|a p-n переходы
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.59
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Грехов
|b И. В.
|g Игорь Всеволодович
|
| 701 |
|
1 |
|a Сережкин
|b Ю. Н.
|g Юрий Никитович
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20060403
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20150416
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
