|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
93574 |
| 005 |
20231031105244.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\100186
|
| 090 |
|
|
|a 93574
|
| 100 |
|
|
|a 20060330d1981 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников
|e сборник статей
|f Сибирское отделение АН СССР; Институт физики полупроводников; под ред. Л. Н. Александрова
|
| 210 |
|
|
|a Новосибирск
|c Наука
|d 1981
|
| 215 |
|
|
|a 232 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце статей
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a синтез
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллизация
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальные пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a рост
|
| 610 |
1 |
|
|a дефекты
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.59
|v 3
|
| 702 |
|
1 |
|a Александров
|b Л. Н.
|g Леонид Наумович
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР
|b Сибирское отделение
|b Институт физики полупроводников (АН СССР СО ИФП)
|c (Новосибирск)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\11385
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20060330
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20160220
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
