Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: пер. с англ.

Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser:	Ченг Л. (редактор), Плог К.
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Москва, Мир, 1989
Schlagworte:	полупроводниковые пленки получение молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктуры электронные свойства
Format:	Buch
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=93132

Ähnliche Einträge

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
von: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Т. 4 : Молекулярно-лучевая эпитаксия. Поверхность; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Veröffentlicht: (1988)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
von: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Veröffentlicht: (Нальчик, 2013)

Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
von: Асеев А. Л.
Veröffentlicht: (2003)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
von: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2011)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
von: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Veröffentlicht: (Томск, 2011)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
von: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2025)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур «полупроводник на диэлектрике»: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
von: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Veröffentlicht: (Томск, 2011)

Искусственная эпитаксия - перспективная технология элементной базы микроэлектроники
von: Гиваргизов Е. И. Евгений Инвиевич
Veröffentlicht: (Москва, Наука, 1988)

Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии: методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций учебно-методическое пособие
von: Курочка С. П.
Veröffentlicht: (Москва, МИСИС, 2015)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
Veröffentlicht: (2004)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
von: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2025)

Т. 2 : Рост кристаллов из растворов. Выращивание монокристаллов и пленок высокотемпературных сверхпроводников; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Veröffentlicht: (1988)

Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production
Veröffentlicht: (Amsterdam, Elsevier, 2013)

Репродукционная эпитаксия
von: Маслов В. Н. Вадим Николаевич
Veröffentlicht: (Москва, Металлургия, 1981)

Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой терапии; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 7
Veröffentlicht: (2004)

Элементы и устройства наноэлектроники учебное пособие
von: Сергеев В. А.
Veröffentlicht: (Ульяновск, УлГТУ, 2016)

Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия: пер. с англ.
Veröffentlicht: (Москва, Мир, 1969)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
von: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
von: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2005)

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
von: Дирко В. В. Владимир Владиславович
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2022)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
von: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2005)

Т. 1 : Рост кристаллов из газовой фазы. Твердофазные превращения; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Veröffentlicht: (1988)

Т. 3 : Рост кристаллов из расплавов; 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов; Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Москва, 14-19 ноября 1988 г.
Veröffentlicht: (1988)

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
von: Акчурин Р. Х.
Veröffentlicht: (Москва, Техносфера, 2018)

Градиентная эпитаксия для получения микро и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону монография
von: Сысоев И. А.
Veröffentlicht: (Ставрополь, СКФУ, 2015)

Поверхность кристалла и эпитаксия
von: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Veröffentlicht: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
von: Цзысюань Ли
Veröffentlicht: (2023)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
von: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Veröffentlicht: (2012)

Ч. 1 : Молекулярная, лазерная эпитаксия. Распределение примесей и дефектов; Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Veröffentlicht: (Новосибирск, Наука, 1984)

Основы вакуумных технологий учебное пособие для студентов направления «электроника и наноэлектроника»
von: Орликов Л. Н.
Veröffentlicht: (Москва, ТУСУР, 2018)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5
Veröffentlicht: (2004)

Методы получения эпитаксиальных гетерокомпозиций учебное пособие для вузов
von: Ратушный В. И.
Veröffentlicht: (Москва, НИЯУ МИФИ, 2012)

Жидкофазная эпитаксия кремния
Veröffentlicht: (Москва, Металлургия, 1989)

Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники: Оптоэлектронные преобразователи излучений курс лекций
von: Кузнецов Г. Д.
Veröffentlicht: (Москва, МИСИС, 2001)

Эпитаксиальные пленки
von: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Veröffentlicht: (Москва, Наука, 1971)

Получение, исследование свойств тонкопленочных полупроводниковых гетероструктур из соединений [AIIBVI] и разработка приборов на их основе.: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 05.02.11
von: Сычик В. А.
Veröffentlicht: (Томск, 1973)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
von: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2025)

Кинетика образования и структуры твердых слоев
von: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Veröffentlicht: (Новосибирск, Наука, 1972)

Варизонные полупроводники и гетероструктуры: учебное пособие
von: Ильин В. И. Владимир Иванович
Veröffentlicht: (СПб., Наука, 2000)