Диэлектрические потери в легированных щёлочно-галоидных кристаллах; Электротехника, электромеханика и электротехнологии

Диэлектрические потери в легированных щёлочно-галоидных кристаллах; Электротехника, электромеханика и электротехнологии

Бібліографічні деталі
Parent link:	Электротехника, электромеханика и электротехнологии.— 2002.— С. 22-23.
Автор:	Пономарёв В. В.
Інші автори:	Анненков Ю. М. (научный руководитель)
Мова:	Російська
Опубліковано:	2002
Предмети:	щёлочно-галоидные кристаллы легированные кристаллы потери диэлектрическая релаксация труды учёных ТПУ
Формат:	Частина з книги
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=90809

Схожі ресурси

Ионная проводимость щёлочно-галоидных кристаллов; Электротехника, электромеханика и электротехнологии
за авторством: Асовский П. В.
Опубліковано: (2002)

Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах до и после воздействия протонным излучением: научный отчет
за авторством: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Опубліковано: (Томск, 1964)

Примесные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах
за авторством: Кожогулов О. Ч.
Опубліковано: (Фрунзе, Илим, 1984)

Исследование скорости распространения разряда в кристаллах щелочно-галоидных солей; Известия вузов. Энергетика; № 7
за авторством: Барченко Т. Н.
Опубліковано: (1959)

О механизме локализации электронных возбуждений в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; т. 29, № 1
за авторством: Бочканов П. В.
Опубліковано: (1986)

Экситоны и зоны щелочно-галоидных кристаллов: [монография]
за авторством: Соболев В. В. Валентин Викторович
Опубліковано: (Кишинев, Штиинца, 1984)

Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах
Опубліковано: (Рига, Зинатне, 1987)

Диэлектрические свойства облученных монокристалов KBr: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
за авторством: Краснопевцев В. В.
Опубліковано: (Москва, [Б. и.], 1963)

Коэффициенты пуассона щелочно-галоидных кристаллов; Инновационные технологии и экономика в машиностроении
за авторством: Беломестных В. Н. Владимир Николаевич
Опубліковано: (2013)

Эффект радиационной «памяти» в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; Т. 59, № 9
за авторством: Коровкин М. В. Михаил Владимирович
Опубліковано: (2016)

Исследование электронных центров захвата в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями: отдельный оттиск
за авторством: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Опубліковано: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1969)

Радиационная генерация катионных вакансий в щелочно-галоидных кристаллах; Известия вузов. Физика; № 3
Опубліковано: (1975)

Тезисы докладов Второй всесоюзной конференции по физике диэлектриков, Москва, 20-28 ноября 1958 г.
Опубліковано: (Москва, Изд-во АН СССР, 1958)

Формирование и свойства центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах
за авторством: Кочубей В.
Опубліковано: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2006)

Механические и тепловые свойства щелочно-галоидных кристаллов; Гл. 4, 5
за авторством: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубліковано: (Томск, 1966)

Исследование электрических свойств щелочно-галоидных кристаллов и их радиационного изменения: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
за авторством: Анненков Ю. М.
Опубліковано: (Томск, 1968)

О тепловой и радиационной диссоциации комплексов в щелочногалоидных кристаллах, легированных двухвалентными примесями; Кристаллография; Т. 11, вып. 3
за авторством: Мелик-Гайказян И. Я. Ирина Яковлевна
Опубліковано: (1966)

Влияние плотности импульсного электронного пучка на накопление радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах; Физика твердого тела; Т. 29, № 3
Опубліковано: (1987)

Кн. 2. Гл. 4; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубліковано: (1967)

Ориентационная зависимость ангармонизма в щёлочно-галоидных кристаллах. 2. Галогениды натрия; Инновационные технологии и экономика в машиностроении
за авторством: Теслева Е. П. Елена Павловна
Опубліковано: (2009)

Поляризация электролюминесценции неактивированных и активированных европием щелочно-галоидных кристаллов; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 1
Опубліковано: (2004)

Электролюминесценция щелочно-галоидных кристаллов при температуре выше комнатной; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 2
Опубліковано: (2004)

Кн. 2, гл. 3; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубліковано: (1967)

Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов
за авторством: Алукер Э. Д. Эдуард Давыдович
Опубліковано: (Рига, Зинатне, 1979)

Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов
за авторством: Зуев Л. Б. Лев Борисович
Опубліковано: (Новосибирск, Наука, 1990)

Спектроскопия кислородных и водородных примесных центров в щелочно-галоидных кристаллах
за авторством: Егранов А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (Новосибирск, Наука, 1992)

Упруго-пластический инвариант деформации щелочно-галоидных кристаллов; Перспективы развития фундаментальных наук
за авторством: Надежкин М. В. Михаил Владимирович
Опубліковано: (2014)

Исследование закономерностей поверхностного разряда на щелочно-галоидных кристаллах: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
за авторством: Прудникова Л. А.
Опубліковано: (Томск, 1966)

Гл. 4 ; параграфы 18-35; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубліковано: (1967)

Оптическое поглощение в щелочногалоидных кристаллах и энергия решетки
за авторством: Воробьев А. А. Александр Акимович
Опубліковано: (Томск, 1961)

Электрические свойства кристаллов твердых растворов щелочно-галоидных соединений системы КС1-КВr; Известия вузов. Физика; № 11
за авторством: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Опубліковано: (1967)

Влияние облучения на некоторые тепловые свойства щелочно-галоидных кристаллов и их твердых растворов; Известия вузов. Физика; № 1
за авторством: Анохина И. Н.
Опубліковано: (1965)

Расчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в щелочно-галоидных кристаллах; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
за авторством: Анненков Ю. М. Юрий Михайлович
Опубліковано: (2000)

Процессы низкотемпературной диэлектрической релаксации в щелочно-галоидных кристаллах и воздействие на них рентгеновского излучения: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико -математических наук
за авторством: Щербаков В. А.
Опубліковано: (Томск, 1971)

Формирование и свойства центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах
за авторством: Кочубей В. И. Вячеслав Иванович
Опубліковано: (Москва, Физматлит, 2006)

Методика прессования щелочно-галоидных солей NaCl, KCl, KBr: Научно-технический отчет
за авторством: Кащук С. Л.
Опубліковано: (Томск, 1972)

Гл. 5, гл. 6; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубліковано: (1965)

Гл.1, гл. 2; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубліковано: (1967)

Гл. 4 ; параграфы 1-17; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубліковано: (1967)

Гл. 1, гл. 2; Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах
Опубліковано: (1967)