Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах

Detalhes bibliográficos
Parent link:	Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах.— 2002.— С. 19-21
Autor principal:	Ардышев М. В.
Outros Autores:	Ардышев В. М., Пичугин В. Ф. Владимир Федорович
Idioma:	russo
Publicado em:	2002
Assuntos:	галлия арсенид галлий ионно-легированные структуры имплантация напряжения труды учёных ТПУ
Formato:	Capítulo de Livro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=90061

Registos relacionados

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Ардышев М. В.
Publicado em: (2004)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2002)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Чернявский А. В. Александр Викторович
Publicado em: (2011)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
Por: Сытенко Т. Н.
Publicado em: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publicado em: (Ташкент, Фан, 1986)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
Por: Сараева В. Е.
Publicado em: (1989)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2002)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
Por: Клименов В. А. Василий Александрович
Publicado em: (2012)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Publicado em: (Москва, Наука, 1973)

Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
Por: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publicado em: (Томск, 1985)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
Por: Костылев С. А. Сергей Александрович
Publicado em: (Киев, Наукова думка, 1990)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publicado em: (2011)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Карлова Г. Ф.
Publicado em: (2011)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicado em: (2014)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
Por: Карлова Г. Ф.
Publicado em: (2003)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Publicado em: (Москва, Советское радио, 1972)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
Por: Пешев В. В.
Publicado em: (2002)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
Por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado em: (2018)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
Por: Long Stephen I
Publicado em: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Зависимость свойств ионно-легированных слоёв GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Por: Ардышев М. В.
Publicado em: (2002)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
Por: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Publicado em: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Т. 13; Электроника
Publicado em: (1981)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
Por: Толбанов О. П.
Publicado em: (2003)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicado em: (2009)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
Por: Каплан Б. Я.
Publicado em: (Москва, [Б. и.], 1969)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicado em: (2011)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
Por: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicado em: (Москва, Энергия, 1974)

Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ.
Por: Шур М. С. Михаил Саулович
Publicado em: (Москва, Мир, 1991)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Publicado em: (Москва, Радио и связь, 1988)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicado em: (2011)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
Por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2012)

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
Publicado em: (Томск, 1988)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
Por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2013)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
Por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2014)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
Por: Спирина А. А. Анна Александровна
Publicado em: (Новосибирск, 2023)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
Por: Стебенева В. И.
Publicado em: (2018)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
Por: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2000)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
Por: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicado em: (Томск, 2000)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
Por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado em: (2002)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Publicado em: (2013)