Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10

Podobne knjige/članki

• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
  od: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
  Izdano: (Томск, [Б. и.], 2005)
• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
  od: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
  Izdano: (Томск, [Б. и.], 2005)
• Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами
  od: Войцеховский А. В.
  Izdano: (2000)
• Анализ некоторых многокомпонентных систем потенциометрическим титрованием с применением ЭВМ диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
  od: Шумар С. В. Светлана Викторовна
  Izdano: (Томск, [Б. и.], 1995)
• Влияние микроволнового излучения на приместно-дефектные состояния высокоомных монокристаллов CdTe
  Izdano: (2011)