Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Autor Corporativo:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Otros Autores:	Войцеховский А. В. Александр Васильевич (научный руководитель)
Sumario:	Защита сост. 14.12.2005 г.
Lenguaje:	ruso
Publicado:	Томск, [Б. и.], 2005
Materias:	физика полупроводниковые соединения эпитаксиальные пленки радиационные воздействия высокоэнергетические частицы ионы облучение кристаллы выращивание молекулярно-лучевая эпитаксия ионная имплантация электрофизические параметры измерение электроны теллурид кадмия ртути теллурид кадмия цинка радиационное дефектообразование моделирование электрически активные дефекты накопление распределение авторефераты диссертаций
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=88424

Descripción
Descripción Física:	22 с. ил.
Sumario:	Защита сост. 14.12.2005 г.

Ejemplares similares