Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10

Ítems similars

• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
  per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
  Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)
• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
  per: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
  Publicat: (Томск, [Б. и.], 2005)
• Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
  per: Войцеховский А. В.
  Publicat: (2000)
• Анализ некоторых многокомпонентных систем потенциометрическим титрованием с применением ЭВМ: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
  per: Шумар С. В. Светлана Викторовна
  Publicat: (Томск, [Б. и.], 1995)
• Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
  Publicat: (Москва, Мир, 1968)