Григорьев Д. В. Денис Валерьевич & Войцеховский А. В. Александр Васильевич. (2005). Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10. Томск, [Б. и.], 2005.
Citación estilo ChicagoГригорьев Д. В. Денис Валерьевич and Войцеховский А. В. Александр Васильевич. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10. Томск, [Б. и.], 2005, 2005.
Cita MLAГригорьев Д. В. Денис Валерьевич and Войцеховский А. В. Александр Васильевич. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10. Томск, [Б. и.], 2005, 2005.