Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10

Detalles Bibliográficos
Autor Principal:	Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Autor Corporativo:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Outros autores:	Войцеховский А. В. Александр Васильевич (727)
Idioma:	ruso
Publicado:	Томск, [Б. и.], 2005
Subjects:	физика полупроводниковые соединения эпитаксиальные пленки радиационные воздействия высокоэнергетические частицы ионы облучение кристаллы выращивание молекулярно-лучевая эпитаксия ионная имплантация электрофизические параметры измерение электроны теллурид кадмия ртути теллурид кадмия цинка радиационное дефектообразование моделирование электрически активные дефекты накопление распределение диссертации
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=88420

Títulos similares

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2005)

Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами
por: Войцеховский А. В.
Publicado: (2000)

Анализ некоторых многокомпонентных систем потенциометрическим титрованием с применением ЭВМ диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Шумар С. В. Светлана Викторовна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1995)

Влияние микроволнового излучения на приместно-дефектные состояния высокоомных монокристаллов CdTe
Publicado: (2011)

ИК-лазерное индуцированное изменение Eg в твёрдых растворах p-Cd1-xZnxTe
Publicado: (2011)

Исследование полупроводников с широкой и узкой запрещенной зоной
Publicado: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1983)

Бесщелевые полупроводники-новый класс веществ
por: Цидильковский И. М. Исаак Михайлович
Publicado: (Москва, Наука, 1986)

Фотолиз систем "азид свинца - теллурид кадмия"
por: Суровой Э. П.
Publicado: (2004)

Химия элементов. Лабораторный практикум учебное пособие
por: Калько О. А.
Publicado: (Череповец, ЧГУ, 2021)

Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2008)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2008)

Теллурид цинка
por: Радауцан С. И. Сергей Иванович
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1972)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2008)

Теллурид германия и его физические свойства
por: Коржуев М. А. Михаил Александрович
Publicado: (Москва, Наука, 1986)

Теплоемкость и термодинамические функции теллурита кальция-кадмия в интервале 298,15...673 К
por: Рустембеков К. Т.
Publicado: (2010)

Люминесценция сульфида кадмия при сколе в атомарном водороде
por: Горбачев А. Ф.
Publicado: (1986)

Антимонид кадмия библиографический указатель
por: Пономарев В. Ф.
Publicado: (Москва, 1981)

Влияние условий на синтез вольфрамата кадмия из водных растворов
por: Юркова В. Е.
Publicado: (2024)

Распределение ионов кадмия и алюминия в тканях и органах муксуна и нельмы нижнего течения Оби
por: Борисенко Н. В.
Publicado: (2015)

Спектрально-кинетические характеристики донорно-акцепторных пар в кристаллах сульфида кадмия и селенида цинка
Publicado: (2011)

Изучение возможности использования твердого композитного электрода для потенциометрического определения кадмия в растворах
por: Бурилова Г. А.
Publicado: (2017)

Импульс Промежуточный отчет по III этапу
Publicado: (Томск, 1979)

Анализ кадмия и его оксида методом атомно-эмиссионной и масс-спектрометрии с индуктивно связанной плазмой
por: Лундовская О. В.
Publicado: (2018)

Вынужденное излучение в кристаллах сульфида кадмия при высоких уровнях возбуждения
por: Лысык В. В.
Publicado: (2011)

Свойства и технология изготовления износостойких материалов [сборник научных трудов]
Publicado: (Таллин, Изд-во ТалТУ, 1980)

Импульс Промежуточный отчет по II этапу
Publicado: (Томск, 1978)

Получение наночастиц сульфидов кадмия и свинца фотохимическим методом
por: Егоров Н. Б. Николай Борисович
Publicado: (2004)

Люминесценция кристаллов CDWO4 при импульсном электронном и лазерном возбуждении
por: Гэ Гуанхуэй
Publicado: (2014)

Studying radiation hardness of a cadmium tungstate crystal based radiation detector
Publicado: (2016)

Obtaining of nanoparticles of СdS by photolysis of NA4CDS2O33 aqueous solutions
por: Obmuch K. V.
Publicado: (2014)

Сорбционная очистка водных сред, содержащих ионы Cd2+ И Pb2+
por: Максимов П. Н. Прокопий Николаевич
Publicado: (2024)

Синтез ультрадисперсного порошка сплава Вуда с помощью импульсного электронного пучка
Publicado: (2005)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)

Removal of divalent cadmium ions from aqueous solution using Lantana camara leaves biocarbon
por: Starlin Shyla S.
Publicado: (2019)

Медицина катастроф: в 2 ч. Ч. 2 учебно-методическое пособие для студентов учреждений высшего образования, обучающихся по специальностям 1-79 01 01 «Лечебное дело», 1-79 01 02 «Педиатрия», 1-79 01 05 «Медико-психологическое дело»
por: Новоселецкий В. А.
Publicado: (Гродно, ГрГМУ, 2023)

Моделирование структур и хаоса в генераторе с протяжённым кристаллом, обладающим термозависимой оптической активностью
Publicado: (2008)

Полупроводниковые материалы и приборы
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1987)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)