Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Collectivité auteur:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Autres auteurs:	Войцеховский А. В. Александр Васильевич (727)
Publié:	Томск, [Б. и.], 2005
Sujets:	физика полупроводниковые соединения эпитаксиальные пленки радиационные воздействия высокоэнергетические частицы ионы облучение кристаллы выращивание молекулярно-лучевая эпитаксия ионная имплантация электрофизические параметры измерение электроны теллурид кадмия ртути теллурид кадмия цинка радиационное дефектообразование моделирование электрически активные дефекты накопление распределение диссертации
Format:	Livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=88420

Description
Description matérielle:	218 л. ил.

Documents similaires