Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.10

Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.10

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Верозубова Г. А. Галина Александровна
مؤلف مشترك:	Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт мониторинга климатических и экологических систем (ИМКЭС)
مؤلفون آخرون:	Грибенюков А. И. Александр Иванович (научный руководитель)
الملخص:	Защита сост. 16.11.2005 г.
اللغة:	الروسية
منشور في:	Томск, [Б. и.], 2005
الموضوعات:	физика полупроводники дифосфид цинка-германия халькопирит получение монокристаллы свойства синтез выращивание рост метод Бриджмена дефекты авторефераты диссертаций
التنسيق:	كتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=87629

مواد مشابهة

Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.10
حسب: Верозубова Г. А. Галина Александровна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2005)

Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук:
حسب: Верозубова Г. А. Галина Александровна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2005)

Исследование эволюции структурных дефектов в монокристаллах ZnGeP2, выращенных методом Бриджмена; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 321, № 2 : Математика и механика. Физика
منشور في: (2012)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Новиков В. А. Владимир Александрович
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Новиков В. А. Владимир Александрович
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
حسب: Новиков В. А. Владимир Александрович
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2007)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
منشور في: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Высокотемпературная кристаллизация из расплава
حسب: Багдасаров Х. С. Хачик Саакович
منشور في: (Москва, Физматлит, 2004)

Синтез и выращивание оптических кристаллов и ювелирных камней: сборник научных трудов
منشور في: (Новосибирск, Изд-во ИГИГ, 1981)

Ориентационная и температурная зависимость пластической деформации в монокристаллах высокоэнтропийного сплава FeNiCoCrAl0,3; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
حسب: Выродова А. В.
منشور في: (2017)

Научная аппаратура для получения высокооднородных и совершенных кристаллов полупроводников вертикальным методом Бриджмена в космических условиях; "Орбита молодёжи" и перспективы развития российской космонавтики
منشور في: (2017)

Гидротермальный синтез и выращивание монокристаллов: сборник статей
منشور في: (Москва, Наука, 1982)

Построение компьютерной модели многозонной термической установки с учетом теплоты кристаллизации для выращивания кристаллов методом Бриджмена; Молодежь и современные информационные технологии
حسب: Нгуен Суан Хунг
منشور في: (2012)

Особенности периодических картин локализации деформации в монокристаллах чистых металлов; Труды XIV научной конференции, посвященной 300-летию инженерного образования в России, Юрга, 26-27 апреля 2001 г
حسب: Гончиков К. В.
منشور في: (2001)

Система управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов по методу Бриджмена; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 5: Управление, вычислительная техника и информатика
منشور في: (2010)

Управление температурным полем многозонной печи для выращивания кристаллов по методу Бриджмена; Средства и системы автоматизации: проблемы и решения
حسب: Филиппов М. М. Максим Михайлович
منشور في: (2009)

Компьютерная модель многозонной термической установки для выращивания кристаллов методом Бриджмена; Технологии Microsoft в теории и практике программирования
حسب: Нгуен Суан Хунг
منشور في: (2012)

Сульфид цинка. Получение и оптические свойства
حسب: Морозова Н. К. Наталия Константиновна
منشور في: (Москва, Наука, 1987)

Получение монокристаллов соединений группы сернистого свинца с заданными электрическими и структурными характеристиками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
حسب: Аверьянов И. С.
منشور في: (Москва, [Б. и.], 1967)

Исследование центров окраски и люминисценции в сульфиде цинка при импульсном электронном возбуждении высокой интенсивности: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
حسب: Малышев А.А.
منشور في: (Томск, [Б. и.], 1980)

Автоматизированная установка для исследования гидродинамики расплава и выращивания кристаллов методом Бриджемена с низкочастотным вибрационным воздействием на расплав; Приборы и техника эксперимента; № 4
منشور في: (2004)

Влияние размера частиц на функциональные и механические свойства монокристаллов сплава на основе железа FeNiCoAlNb; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
حسب: Панченко М. Ю.
منشور في: (2017)

Т. 18; Рост кристаллов
منشور في: (1990)

Управляемая кристаллизация в трубчатом контейнере
منشور في: (Новосибирск, Наука, 1978)

Электрооборудование кристаллизационных установок
حسب: Черкасов Н. М. Николай Максимович
منشور في: (Москва, Металлургия, 1975)

Материалы Всесоюзного совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве (4-6 марта 1985 г.)
منشور في: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1986)

Электронная аккомодация при адсорбции атомов водорода на ювенильной поверхности монокристаллов сульфида цинка; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 91, вып. 1 (7)
منشور في: (1986)

Т. 4; Рост кристаллов
منشور في: (1964)

Производство полупроводникового кремния
حسب: Салли И. В. Илья Васильевич
منشور في: (Москва, Металлургия, 1970)

Физика кристаллизации: сборник научных трудов
منشور في: (Калинин, Изд-во Калининского гос. ун-та, 1983)

Физика кристаллизации: сборник научных статей
منشور في: (Калинин, Изд-во КГУ, 1985)

Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов
حسب: Маслов В. Н. Вадим Николаевич
منشور في: (Москва, Металлургия, 1977)

Стабилизация скорости движения фронта кристаллизации при выращивании кристаллов в многозонной термической установке методом Бриджмена; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 318, № 2 : Математика и механика. Физика
منشور في: (2011)

Ориентационная зависимость высокотемпературной сверхэластичности в монокристаллах Ni-Fe-Ga; Современные техника и технологии; Т. 2
حسب: Тимофеева Е. Е.
منشور في: (2009)

Физика кристаллизации: межвузовский тематический сборник
منشور في: (Калинин, Изд-во КГУ, 1981)

Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2008)

Зависимость интенсивности катодолюминесценции монокристаллического оксида цинка от энергии и плотности электронного пучка; Современные техника и технологии; Т. 3
حسب: Аль-Обайди Н. Дж.
منشور في: (2010)

Кристаллы и кристаллизация
حسب: Кузнецов В. Д.
منشور في: (Москва, Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1953)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
حسب: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
منشور في: (Томск, [Б. и.], 2008)

Кристаллы и кристаллизация
حسب: Кузнецов В. Д.
منشور في: (Москва, Изд-во технико-теоретической литературы, 1954)