Графики и зависимости для оценки параметров йодных ям в режиме останова со стационарного уровня мощности; Энергетика: экология, надежность, безопасность; Т. 1

Графики и зависимости для оценки параметров йодных ям в режиме останова со стационарного уровня мощности; Энергетика: экология, надежность, безопасность; Т. 1

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Энергетика: экология, надежность, безопасность: материалы докладов седьмой Всероссийской научно-технической конференции, Томск, 5-7 декабря 2001 г./ Томский политехнический университет ; Российский фонд фундаментальных исследований ; Международная энергетическая академия ; Международная академия наук экологии и безопасности жизнедеятельности ; Томская область, Администрация.— , 2001- Т. 1.— 2001.— С. 193-196.
المؤلف الرئيسي:	Андронов В. А.
مؤلفون آخرون:	Кузьмин А. В. Ариан Валерьевич
اللغة:	الروسية
منشور في:	2001
الموضوعات:	йодные ямы оценки параметров мощность режим останова точечные модели тепловые реакторы труды учёных ТПУ
التنسيق:	فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=81817

مواد مشابهة

Оценка параметров йодных ям в режиме останова теплового реактора со стационарного уровня мощности; Энергетика: экология, надежность, безопасность; Т. 1
حسب: Андронов В. А.
منشور في: (2001)

Процессы формирования иодных вод
حسب: Кирюхин В. К. Валерий Константинович
منشور في: (Москва, Недра, 1980)

Состояние разработок жидкостных систем останова ядерных реакторов; Атомная энергия; Т. 94, вып. 5
حسب: Бубнова Т. А.
منشور في: (2003)

Сорбция и десорбция радионуклидов на конструкционных материалах ЯЭУ применительно к АЭС с РБМК в период останова; Атомная энергия; Т. 94, вып. 5
حسب: Лысенко А. А.
منشور في: (2003)

Применение номограмм для расчета отравления теплового реактора самарием; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 307, № 1
حسب: Кузьмин А. В. Ариан Валерьевич
منشور في: (2004)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
منشور في: (2013)

№ 155 : Химия: [сборник статей]; Ученые записки [Ленинградского государственного университета]
منشور في: (1952)

Вып. 2; Вопросы светотехники за рубежом
منشور في: (1962)

Газовые лазеры с оптической накачкой: [сборник научных трудов]
منشور في: (Москва, Наука, 1980)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2012)

Мощный йодный лазер: пер. с англ.
حسب: Бредерлов Г.
منشور في: (Москва, Энергоатомиздат, 1985)

Расчет и определение рациональных режимов для вырезной электроэрозионной обработки учебно-методическое пособие
حسب: Ставицкий И. Б.
منشور في: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2019)

The high-power Iodine laser
حسب: Brederlow G.
منشور في: (Berlin, Springer-Verlag, 1983)

Каскадно-лавинная генерация электрон-дырочных пар в квантовых ямах типа II; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 3
حسب: Перлин Е. Ю.
منشور في: (2003)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
حسب: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
منشور في: (2012)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
حسب: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
منشور في: (Томск, 2012)

Java устранение проблем
حسب: Спилкэ Л.
منشور في: (Москва, ДМК Пресс, 2023)

Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
حسب: Серов А. Ю.
منشور في: (2004)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2016)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2013)

Демографическая яма в высшем образовании: проблемы и пути преодоления; Открытое и дистанционное образование; № 2 (42)
منشور في: (2011)

Зависимость ширины основной минизоны сверхрешетки с прямоугольными квантовыми ямами от конструктивных параметров; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 10
حسب: Борисенко С. И.
منشور في: (2003)

Акустическая левитация; Молодежь и современные информационные технологии; Т. 1
حسب: Камышникова О. С.
منشور في: (2016)

Определение равновесного радиуса бетатрона через расчет потенциальной функции магнитного поля; Ресурсоэффективные системы в управлении и контроле: взгляд в будущее; Т. 1
حسب: Затонов И. А. Иван Андреевич
منشور في: (2016)

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
حسب: Горбацевич А. А.
منشور في: (2003)

Примесное поглощение света с участием резонансных состояний мелких доноров в квантовых ямах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 6
حسب: Алешкин В. Я.
منشور في: (2004)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2012)

Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
حسب: Васько Ф. Т.
منشور في: (2003)

Влияние ширины минизоны на время релаксации электронов сверхрешетки при рассеянии на ионах примеси; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 5
حسب: Борисенко С. И.
منشور في: (2003)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
حسب: Бактыбаев А. А.
منشور في: (2016)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
حسب: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
منشور في: (2014)

Ч. 1; Наноэлектроника
منشور في: (2019)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2016)

Лазер на "штарковской лестнице" с когеренной электронной подсистемой; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 6
حسب: Елесин В. Ф.
منشور في: (2003)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
حسب: Грушко Н. С.
منشور في: (2004)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
حسب: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
منشور في: (2015)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
منشور في: (2013)

Моделирование работы преобразователей сухим точечным контактом в режиме излучения; Дефектоскопия; № 8
حسب: Данилов В. Н.
منشور في: (2003)

Влияние дисперсии минизоны на неупругое рассеивание электронов сверхрешетки акустическими фононами; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
حسب: Борисенко С. И.
منشور في: (2003)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
حسب: Градобоев А. В. Александр Васильевич
منشور في: (2011)