• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Recherche avancée
  • Проблемы эпитаксии полупроводн...
  • Citer
  • Envoyer par SMS
  • Envoyer par courriel
  • Imprimer
  • Exporter les notices
    • Exporter vers RefWorks
    • Exporter vers EndNoteWeb
    • Exporter vers EndNote
  • Permalien
Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок

Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок

Détails bibliographiques
Collectivité auteur: Академия наук СССР Сибирское отделение Институт физики полупроводников (АН СССР СО ИФП)
Autres auteurs: Александров Л. Н. Леонид Наумович (редактор)
Langue:russe
Publié: Новосибирск, Наука, 1972
Sujets:
Полупроводниковые пленки > Получение > (физика)
физика
получение
кристаллизация
Format: Livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=81725
  • Exemplaires
  • Description
  • Documents similaires
  • Affichage MARC
Description
Description matérielle:227 с. ил.

Documents similaires

  • Кинетика образования и структуры твердых слоев
    par: Александров Л. Н. Леонид Наумович
    Publié: (Новосибирск, Наука, 1972)
  • Явления переноса в полупроводниковых пленках
    par: Кравченко А. Ф. Александр Филиппович
    Publié: (Новосибирск, Наука, 1979)
  • Кинетика кристаллизации и перекристализации полупроводниковых плёнок
    par: Александров Л. Н. Леонид Наумович
    Publié: (Новосибирск, Наука, 1985)
  • Анодные оксидные пленки
    par: Одынец Л. Л. Лев Львович
    Publié: (Ленинград, Наука, 1990)
  • Физика и технология полупроводниковых пленок
    par: Фреик Д. М. Дмитрий Михайлович
    Publié: (Львов, Вища школа, 1988)