• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
بحث متقدم
  • Электроника слоев SiO 2 на кре...
  • استشهد بهذا
  • أرسل هذا في رسالة قصيرة
  • أرسل هذا بالبريد الإلكتروني
  • طباعة
  • تصدير التسجيلة
    • تصدير إلى RefWorks
    • تصدير إلى EndNoteWeb
    • تصدير إلى EndNote
  • رابط دائم
Электроника слоев SiO 2 на кремнии

Электроника слоев SiO 2 на кремнии

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Барабан А. П. Александр Петрович
مؤلف مشترك: Ленинградский государственный университет
مؤلفون آخرون: Булавинов В. В. Владимир Владимирович, Коноров П. П. Павел Павлович
اللغة:الروسية
منشور في: Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1988
الموضوعات:
физика
микроэлектроника
электронные процессы
кремний
электролиты
электролюминесценция
полупроводники
التنسيق: كتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=80068
  • المقتنيات
  • الوصف
  • مواد مشابهة
  • عرض للأخصائي

مواد مشابهة

  • Свет из карбида кремния; Химия и жизнь - XXI век; № 2
    حسب: Носов Ю. Р.
    منشور في: (2004)
  • Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO2
    حسب: Зайцев Н. А. Николай Алексеевич
    منشور في: (Москва, Радио и связь, 1993)
  • Исследование приповерхностных слоев кремния в структурах [SIO2 -Si]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 10
    حسب: Кулинич О. А.
    منشور في: (2003)
  • Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    حسب: Толбанов О. П. Олег Петрович
    منشور في: (Томск, 1999)
  • Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    حسب: Толбанов О. П. Олег Петрович
    منشور في: (Томск, [Б. и.], 1999)