• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Pokročilé
  • Электроника слоев SiO 2 на кре...
  • Vytvořit citaci
  • Zaslat SMS
  • Poslat e-mailem
  • Vytisknout
  • Exportovat záznam
    • Exportovat do RefWorks
    • Exportovat do EndNoteWeb
    • Exportovat do EndNote
  • Trvalý odkaz
Электроника слоев SiO 2 на кремнии

Электроника слоев SiO 2 на кремнии

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Барабан А. П. Александр Петрович
Korporativní autor: Ленинградский государственный университет
Další autoři: Булавинов В. В. Владимир Владимирович, Коноров П. П. Павел Павлович
Jazyk:ruština
Vydáno: Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1988
Témata:
физика
микроэлектроника
электронные процессы
кремний
электролиты
электролюминесценция
полупроводники
Médium: Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=80068
  • Jednotky
  • Popis
  • Podobné jednotky
  • UNIMARC/MARC

Podobné jednotky

  • Свет из карбида кремния; Химия и жизнь - XXI век; № 2
    Autor: Носов Ю. Р.
    Vydáno: (2004)
  • Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO2
    Autor: Зайцев Н. А. Николай Алексеевич
    Vydáno: (Москва, Радио и связь, 1993)
  • Исследование приповерхностных слоев кремния в структурах [SIO2 -Si]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 10
    Autor: Кулинич О. А.
    Vydáno: (2003)
  • Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    Autor: Толбанов О. П. Олег Петрович
    Vydáno: (Томск, 1999)
  • Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
    Autor: Толбанов О. П. Олег Петрович
    Vydáno: (Томск, [Б. и.], 1999)