|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
71605 |
| 005 |
20231031082753.0 |
| 010 |
|
|
|a 5876230187
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\76312
|
| 090 |
|
|
|a 71605
|
| 100 |
|
|
|a 20041221d2003 m y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a j 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Материаловедение полупроводников и диэлектриков
|e учебник
|f С. С. Горелик, М. Я. Дашевский
|
| 205 |
|
|
|a 2-е изд., перераб. и доп.
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c МИСиС
|d 2003
|
| 215 |
|
|
|a 480 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 472-475.
|
| 320 |
|
|
|a Предметный указатель: с. 475-480.
|
| 330 |
|
|
|a Рассмотрены свойства различных полупроводниковых и диэлектрических материалов и частично металлов, используемых в твердотельной электронике. Показано влияние природы химических связей, химического и фазового состава, атомной структуры и структурных несовершенств на свойства этих материалов. Проанализированы различные способы управления этими свойствами, способы легирования полупроводниковых и диэлектрических фаз, процессы распада пересыщенных твердых растворов и предраспадные явления, процессы геттерирования и другие. Рассмотрены фазовые и структурные превращения и их механизмы при кристаллизации, получении монокристаллов, поликристаллических и аморфных полупроводников и диэлектриков, пленок и многослойных гомо- и гетероэпитаксиальных композиций с заданными свойствами. Предназначен для студентов вузов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров «Материаловедение и технология новых материалов» и направлению подготовки дипломированных специалистов «Материаловедение, технологии материалов и покрытий».
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a диэлектрики
|
| 610 |
1 |
|
|a металлы
|
| 610 |
1 |
|
|a химические связи
|
| 610 |
1 |
|
|a атомы
|
| 610 |
1 |
|
|a строение
|
| 610 |
1 |
|
|a свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a структура
|
| 610 |
1 |
|
|a двойные соединения
|
| 610 |
1 |
|
|a тройные соединения
|
| 610 |
1 |
|
|a фазовое равновесие
|
| 610 |
1 |
|
|a структурные дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a примеси
|
| 610 |
1 |
|
|a диффузия
|
| 610 |
1 |
|
|a легирование
|
| 610 |
1 |
|
|a ядерные реакции
|
| 610 |
1 |
|
|a ионные пучки
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллизация
|
| 610 |
1 |
|
|a пластическая деформация
|
| 610 |
1 |
|
|a поликристаллические пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a аморфные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a учебники
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.592(075.8)
|v 3
|
| 675 |
|
|
|a 621.315.61(075.8)
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Горелик
|b С. С.
|g Семен Самуилович
|
| 701 |
|
1 |
|a Дашевский
|b М. Я.
|g Михаил Яковлевич
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20041221
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20201014
|g PSBO
|
| 900 |
|
|
|a Полупроводниковая, микропроцессорная и преобразовательна
|
| 900 |
|
|
|a Материаловедение
|
| 900 |
|
|
|a Технология покрытий
|
| 900 |
|
|
|a Технология материалов и изделий электронной техники
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 952 |
|
|
|a 551600
|b 150500
|
| 959 |
|
|
|a 176/20041221
|d 5
|e 0
|f НФ:5
|
