Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Zusammenfassung: | В учебном пособии рассмотрено теоретически влияние электрического поля на поляризацию и перенос собственных дефектов в ионных кристаллах, тепловой пробой ионных диэлектриков, влияние точечных дефектов на электронное равновесие в ионном кристалле, а также контактные явления в широкозонных полупроводниках. Предназначено магистрантам направления подготовки 011200 Физика. Оно также может быть полезным преподавателям вузов, аспирантам и научным работникам. Учебное пособие издано при поддержке гос. задания № 2014/ 64 (2014-2016 гг.) Книга из коллекции КемГУ - Физика |
| Veröffentlicht: |
Кемерово, КемГУ, 2014
|
| Ausgabe: | 2 изд., доп., испр. и перераб. |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=70000 https://e.lanbook.com/img/cover/book/70000.jpg |
| Format: | Elektronisch Buch |
MARC
| LEADER | 00000nam0a2200000 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 70000 | ||
| 010 | |a 978-5-8353-1636-6 | ||
| 100 | |a 20250516d2014 k y0rusy01020304ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a y j 000zy | ||
| 106 | |a z | ||
| 200 | 1 | |a Ионные и электронные процессы и контактные явления в широкозонных полупроводниках |b Электронный ресурс |f Ханефт А. В. | |
| 205 | |a 2 изд., доп., испр. и перераб. | ||
| 210 | |a Кемерово |b Кемерово |c КемГУ |d 2014 | ||
| 215 | |a 148 с. | ||
| 330 | |a В учебном пособии рассмотрено теоретически влияние электрического поля на поляризацию и перенос собственных дефектов в ионных кристаллах, тепловой пробой ионных диэлектриков, влияние точечных дефектов на электронное равновесие в ионном кристалле, а также контактные явления в широкозонных полупроводниках. Предназначено магистрантам направления подготовки 011200 Физика. Оно также может быть полезным преподавателям вузов, аспирантам и научным работникам. Учебное пособие издано при поддержке гос. задания № 2014/ 64 (2014-2016 гг.) | ||
| 333 | |a Книга из коллекции КемГУ - Физика | ||
| 610 | 0 | |a кинетика поляризации | |
| 610 | 0 | |a эффект термогенерации дефектов френкеля | |
| 610 | 0 | |a бесконтактное электрическое поле | |
| 610 | 0 | |a влияние внешнего электрического поля | |
| 610 | 0 | |a ионные кристаллы | |
| 610 | 0 | |a точечные дефекты | |
| 610 | 0 | |a джоулев разогрев ионного кристалла | |
| 610 | 0 | |a вольтамперная характеристика диэлектриков | |
| 610 | 0 | |a вольтамперная характеристика плоского диэлектрика | |
| 610 | 0 | |a вольтамперная характеристика цилиндрического диэлектрика | |
| 610 | 0 | |a инжекция ионов | |
| 610 | 0 | |a вольтамперная характеристика ионного проводника | |
| 610 | 0 | |a статистика электронов | |
| 610 | 0 | |a статистика дырок | |
| 610 | 0 | |a полупроводники | |
| 610 | 0 | |a метод эффективной массы | |
| 610 | 0 | |a влияние дефектов на равновесие | |
| 610 | 0 | |a концентрации электронов | |
| 610 | 0 | |a концентрации дырок | |
| 610 | 0 | |a зонах | |
| 610 | 0 | |a статистика электронов и дырок в примесных полупроводниках | |
| 610 | 0 | |a закон действующих масс в примесных полупроводниках | |
| 610 | 0 | |a эффект френкеля | |
| 610 | 0 | |a эффект келдыша франца | |
| 610 | 0 | |a зависимость положения уровня ферми | |
| 610 | 0 | |a размеры кристаллов | |
| 610 | 0 | |a галогениды серебра | |
| 610 | 0 | |a собственные дефекты | |
| 610 | 0 | |a примесные катионы | |
| 610 | 0 | |a позиция уровня ферми | |
| 610 | 0 | |a азид свинца | |
| 610 | 0 | |a образование квантовой ямы для дырок | |
| 610 | 0 | |a приповерхностный слой | |
| 610 | 0 | |a полупроводниковые гетеропереходы | |
| 610 | 0 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 0 | |a анизотипный гетеропереход | |
| 610 | 0 | |a изотипный гетеропереход | |
| 610 | 0 | |a зависимость изгиба зон на границе микроконтакта | |
| 610 | 0 | |a agbr-agi | |
| 610 | 0 | |a форма гетерогенной системы | |
| 610 | 0 | |a размер гетерогенной системы | |
| 675 | |a 544.22.022.342 | ||
| 700 | 1 | |a Ханефт |b А. В. | |
| 801 | 1 | |a RU |b Издательство Лань |c 20250516 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://e.lanbook.com/books/element.php?pl1_id=70000 | |
| 856 | 4 | 1 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/70000.jpg |
| 953 | |a https://e.lanbook.com/img/cover/book/70000.jpg | ||