Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Известия вузов. Физика; Т. 65, № 11

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет.— .— Томск: Изд-во ТГУ, 1958-.— 0021-3411 Т. 65, № 11.— 2022.— С. 77-81
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий
Other Authors:	Олешко В. И. Владимир Иванович, Воробьёва Л. В. Людмила Владимировна
Summary:	Представлены результаты экспериментальных исследований спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в отдельных образцах InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках гетероструктуры. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области на люминесценцию гетероструктур, что обусловливается неидеальностью технологического процесса выращивания пластин Текстовый файл AM_Agreement
Language:	Russian
Published:	2022
Subjects:	светодиоды гетероструктуры сверхрешетки катодолюминесценция фотолюминесценция электронный ресурс труды учёных ТПУ
Online Access:	https://elibrary.ru/item.asp?id=49813146 Переводная версия
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=688706