Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Известия вузов. Физика; Т. 65, № 11
| Parent link: | Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет.— .— Томск: Изд-во ТГУ, 1958-.— 0021-3411 Т. 65, № 11.— 2022.— С. 77-81 |
|---|---|
| Corporate Author: | |
| Other Authors: | , |
| Summary: | Представлены результаты экспериментальных исследований спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в отдельных образцах InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках гетероструктуры. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области на люминесценцию гетероструктур, что обусловливается неидеальностью технологического процесса выращивания пластин Текстовый файл AM_Agreement |
| Language: | Russian |
| Published: |
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://elibrary.ru/item.asp?id=49813146 Переводная версия |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=688706 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 688706 | ||
| 005 | 20261021150936.0 | ||
| 090 | |a 688706 | ||
| 100 | |a 20261021d2022 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 200 | 1 | |a Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире |d Luminescence Control of Led Heterostructures Grown by Method of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire |f Ли Цзысюань, В. И. Олешко, Л. В. Воробьёва |z eng | |
| 320 | |a Список литературы: 9 назв | ||
| 330 | |a Представлены результаты экспериментальных исследований спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в отдельных образцах InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках гетероструктуры. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области на люминесценцию гетероструктур, что обусловливается неидеальностью технологического процесса выращивания пластин | ||
| 336 | |a Текстовый файл | ||
| 371 | 0 | |a AM_Agreement | |
| 461 | 1 | |0 379770 |9 379770 |t Известия вузов. Физика |l Russian Physics Journal |o научный журнал |f Национальный исследовательский Томский государственный университет |c Томск |n Изд-во ТГУ |d 1958- |x 0021-3411 | |
| 463 | 1 | |0 588509 |9 588509 |t Т. 65, № 11 |v С. 77-81 |d 2022 |u https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=49813132 | |
| 610 | 1 | |a светодиоды | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a сверхрешетки | |
| 610 | 1 | |a катодолюминесценция | |
| 610 | 1 | |a фотолюминесценция | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 700 | 0 | |3 Ли Цзысюань | |
| 701 | 1 | |a Олешко |b В. И. |c специалист в области светотехники |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1948- |g Владимир Иванович |9 12727 | |
| 701 | 1 | |a Воробьёва |b Л. В. |c лингвист |c доцент Томского политехнического университета, кандидат филологических наук |f 1979- |g Людмила Владимировна |9 12566 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Инженерная школа новых производственных технологий |c (2017- ) |9 28317 |
| 801 | 0 | |a RU |b 63413507 |c 20261021 |g RCR | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 856 | 4 | 0 | |u https://elibrary.ru/item.asp?id=49813146 |z https://elibrary.ru/item.asp?id=49813146 |
| 856 | 4 | 0 | |u https://doi.org/10.1007/s11182-023-02845-z |z Переводная версия |
| 942 | |c CF | ||