Люминесцентный контроль светодиодных гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире; Известия вузов. Физика; Т. 65, № 11
| Parent link: | Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет.— .— Томск: Изд-во ТГУ, 1958-.— 0021-3411 Т. 65, № 11.— 2022.— С. 77-81 |
|---|---|
| Corporate Author: | |
| Other Authors: | , |
| Summary: | Представлены результаты экспериментальных исследований спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в отдельных образцах InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках гетероструктуры. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области на люминесценцию гетероструктур, что обусловливается неидеальностью технологического процесса выращивания пластин Текстовый файл AM_Agreement |
| Language: | Russian |
| Published: |
2022
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://elibrary.ru/item.asp?id=49813146 Переводная версия |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=688706 |
| Summary: | Представлены результаты экспериментальных исследований спектральных и кинетических характеристик импульсной катодо- и фотолюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире. Изучено влияние плотности энергии сильноточного электронного пучка на спектральные и амплитудные характеристики люминесценции гетероструктур. Исследовано пространственное распределение люминесцентных характеристик по поверхности выращенных пластин. Обнаружено, что в отдельных образцах InGaN/GaN наблюдается сдвиг максимума спектра стимулированной катодолюминесценции, измеренного в различных точках гетероструктуры. Этот результат объясняется варьированием состава и толщины квантоворазмерной активной области на люминесценцию гетероструктур, что обусловливается неидеальностью технологического процесса выращивания пластин Текстовый файл AM_Agreement |
|---|---|
| DOI: | 10.1007/s11182-023-02845-z |