Исследование микроструктуры и свойств поликристаллических алмазных покрытий, синтезированных методом HFCVD при высоких концентрациях метана; Журнал технической физики; Т. 93, вып. 6
| Parent link: | Журнал технической физики=Technical Physics/ Российская академия наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе.— .— Санкт-Петербург: Наука.— 0044-4642 Т. 93, вып. 6.— 2023.— С. 794-803 |
|---|---|
| Autres auteurs: | , , , , |
| Résumé: | Заглавие с экрана Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости структуры и механических свойств алмазных пленок, выращенных методом HFCVD в атмосфере H_2/CH4, от варьирования концентрации метана (в пределах от 5.6 до 19.3 vol.%). Для пленок, синтезированных при 5.6 vol.% CH4 в газовой фазе, характерна столбчатая микрокристаллическая структура. В микроструктуре пленок, выращенных при высоких содержаниях метана (12.2-19.3 vol.%), наблюдаются как отдельные алмазные кристаллы, так и дендритные кластеры, при этом рассчитанные значения размеров кристаллов таких пленок составляют ~5 nm. В зависимости от параметров осаждения твердость и модуль упругости изменялись в пределах от 50.4 и 520 GPa до 95.15 и 974.5 GPa соответственно. При увеличении концентрации CH4 происходит увеличение растягивающих остаточных напряжений. Показана зависимость напряжений от изменения толщины пленки. Морфология поверхности микрокристаллических покрытий значительно отличается от ультрананокристаллических и имеет в среднем на порядок более высокие значения шероховатости поверхности, во всех пленках наблюдается рост шероховатости при увеличении их толщины Текстовый файл |
| Langue: | russe |
| Publié: |
2023
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2023.06.55604.2-23 |
| Format: | Électronique Chapitre de livre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=685534 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 685534 | ||
| 005 | 20260319102429.0 | ||
| 090 | |a 685534 | ||
| 100 | |a 20260319d2023 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 200 | 1 | |a Исследование микроструктуры и свойств поликристаллических алмазных покрытий, синтезированных методом HFCVD при высоких концентрациях метана |f А. С. Митулинский, А. В. Гайдайчук, С. П. Зенкин [и др.] | |
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a Список литературы: 58 назв | ||
| 330 | |a Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости структуры и механических свойств алмазных пленок, выращенных методом HFCVD в атмосфере H_2/CH4, от варьирования концентрации метана (в пределах от 5.6 до 19.3 vol.%). Для пленок, синтезированных при 5.6 vol.% CH4 в газовой фазе, характерна столбчатая микрокристаллическая структура. В микроструктуре пленок, выращенных при высоких содержаниях метана (12.2-19.3 vol.%), наблюдаются как отдельные алмазные кристаллы, так и дендритные кластеры, при этом рассчитанные значения размеров кристаллов таких пленок составляют ~5 nm. В зависимости от параметров осаждения твердость и модуль упругости изменялись в пределах от 50.4 и 520 GPa до 95.15 и 974.5 GPa соответственно. При увеличении концентрации CH4 происходит увеличение растягивающих остаточных напряжений. Показана зависимость напряжений от изменения толщины пленки. Морфология поверхности микрокристаллических покрытий значительно отличается от ультрананокристаллических и имеет в среднем на порядок более высокие значения шероховатости поверхности, во всех пленках наблюдается рост шероховатости при увеличении их толщины | ||
| 336 | |a Текстовый файл | ||
| 461 | 1 | |0 379949 |9 379949 |t Журнал технической физики |l Technical Physics |f Российская академия наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе |c Санкт-Петербург |n Наука |x 0044-4642 | |
| 463 | 1 | |9 590310 |t Т. 93, вып. 6 |v С. 794-803 |d 2023 | |
| 610 | 1 | |a тонкие пленки | |
| 610 | 1 | |a химическое осаждение | |
| 610 | 1 | |a газовые фазы | |
| 610 | 1 | |a ультрананокристаллический алмаз | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 701 | 1 | |a Митулинский |b А. С. |c специалист в области электроэнергетики |c техник Томского политехнического университета |f 1998- |g Александр Сергеевич |9 22538 | |
| 701 | 1 | |a Гайдайчук |b А. В. |c российский физик |c аспирант, инженер-исследователь Томского политехнического университета |f 1984- |g Александр Валерьевич |9 13161 | |
| 701 | 1 | |a Зенкин |b С. П. |c физик |c научный сотрудник Томского политехнического университета |f 1988- |g Сергей Петрович |9 21446 | |
| 701 | 1 | |a Булах |b В. А. |c химик |c техник Томского политехнического университета |f 2002- |g Влада Александровна |9 23055 | |
| 701 | 1 | |a Линник |b С. А. |c физик |c инженер-исследователь Томского политехнического университета |f 1985- |g Степан Андреевич |9 13164 | |
| 801 | 0 | |a RU |b 63413507 |c 20260319 |g RCR | |
| 856 | 4 | 0 | |u http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2023.06.55604.2-23 |z http://dx.doi.org/10.21883/JTF.2023.06.55604.2-23 |
| 942 | |c CF | ||