Полупроводниковые пленки и слоистые структуры

Полупроводниковые пленки и слоистые структуры

Detalhes bibliográficos
Autor Corporativo:	Академия наук Украинской ССР Институт полупроводников
Idioma:	russo
Publicado em:	Киев, Наукова думка, 1977
Assuntos:	Полупроводниковые пленки > Физико-химические свойства Полупроводники слоистые > Физика тонкие полупроводниковые пленки сульфид кадмия селенид кадмия нитрат германия слоистые структуры двуокись кремния получение применение кремний эпитаксиальные слои
Formato:	Livro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=685094

Registos relacionados

Спектрально-кинетические характеристики донорно-акцепторных пар в кристаллах сульфида кадмия и селенида цинка; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publicado em: (2011)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Por: Дзядух С. М. Станислав Михайлович
Publicado em: (Томск, 2010)

Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2008)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2008)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publicado em: (Новосибирск, Наука, 1977)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
Por: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicado em: (Новосибирск, Наука, 1978)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Por: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2008)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Publicado em: (Новосибирск, Наука, 1981)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2005)

Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках
Por: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Publicado em: (Москва, Энергоатомиздат, 1984)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2005)

Антимонид кадмия: библиографический указатель
Por: Пономарев В. Ф.
Publicado em: (Москва, 1981)

Свойства и технология изготовления износостойких материалов: [сборник научных трудов]
Publicado em: (Таллин, Изд-во ТалТУ, 1980)

Вып. 18; Физическая электроника
Publicado em: (1979)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Publicado em: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Материаловедение узкощелевых и слоистых полупроводников: сборник научных трудов
Publicado em: (Киев, Наукова думка, 1989)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Por: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2005)

Получение наночастиц сульфидов кадмия и свинца фотохимическим методом; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Por: Егоров Н. Б. Николай Борисович
Publicado em: (2004)

Эпитаксиальные пленки
Por: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publicado em: (Москва, Наука, 1971)

Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
Publicado em: (Москва, Мир, 1968)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
Por: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Publicado em: (Новосибирск, 2025)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
Publicado em: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Физика полупроводниковых и магнитных материалов: сборник научных трудов
Publicado em: (Орджоникидзе, [Б. и.], 1977)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
Por: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Publicado em: (Москва, Металлургия, 1974)

Электромагнитный метод анализа слоистых полупроводниковых и металлических структур
Por: Григулис Ю. К. Юрис Карлович
Publicado em: (Рига, Зинатне, 1970)

Вынужденное излучение в кристаллах сульфида кадмия при высоких уровнях возбуждения; Современные техника и технологии; Т. 2
Por: Лысык В. В.
Publicado em: (2011)

Основы физики полупроводниковых слоистых систем
Por: Литовченко В. Г. Владимир Григорьевич
Publicado em: (Киев, Наукова думка, 1980)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2007)

Obtaining of nanoparticles of СdS by photolysis of NA4CDS2O33 aqueous solutions; Методология проектирования молодежного научно-инновационного пространства как основа подготовки современного инженера
Por: Obmuch K. V.
Publicado em: (2014)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado em: (Томск, [Б. и.], 2007)

Полупроводниковые наноструктуры сульфидов свинца, кадмия и серебра: [монография]
Por: Садовников С. И. Станислав Игоревич
Publicado em: (Москва, Физматлит, 2018)

Полупроводниковые материалы в современной электронике
Por: Мильвидский М. Г. Михаил Григорьевич
Publicado em: (Москва, Наука, 1986)

Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Полупроводниковые материалы IX
Publicado em: (Таллин, Изд-во ТПИ, 1988)

Микроэлектронные и полупроводниковые приборы и их технология: [сборник статей]
Publicado em: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1978)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Por: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publicado em: (Томск, 2010)

Вып. 1 : Структура, приготовление и приборы; Физика гидрогенизированного аморфного кремния
Publicado em: (1987)

Слоистые клееные констукции в самолетостроении
Por: Крысин В. Н. Владимир Николаевич
Publicado em: (Москва, Машиностроение, 1980)

Слоистые металлодиэлектрические волноводы
Por: Веселов Г. И. Геннадий Иванович
Publicado em: (Москва, Радио и связь, 1988)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
Por: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publicado em: (Нальчик, 2013)

Вып. 1; Методы анализа веществ особой чистоты и монокристаллов
Publicado em: (1962)