Полупроводниковые пленки и слоистые структуры

Полупроводниковые пленки и слоистые структуры

Détails bibliographiques
Collectivité auteur:	Академия наук Украинской ССР Институт полупроводников
Langue:	russe
Publié:	Киев, Наукова думка, 1977
Sujets:	Полупроводниковые пленки > Физико-химические свойства Полупроводники слоистые > Физика тонкие полупроводниковые пленки сульфид кадмия селенид кадмия нитрат германия слоистые структуры двуокись кремния получение применение кремний эпитаксиальные слои
Format:	Livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=685094

Documents similaires

Спектрально-кинетические характеристики донорно-акцепторных пар в кристаллах сульфида кадмия и селенида цинка
Publié: (2011)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
par: Дзядух С. М. Станислав Михайлович
Publié: (Томск, 2010)

Электрофизические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
par: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publié: (Томск, [Б. и.], 2008)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
par: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publié: (Томск, [Б. и.], 2008)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
par: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publié: (Новосибирск, Наука, 1978)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
par: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
par: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2005)

Электрические свойства тройных соединений (Zn, Cd) - (Si, Ge,Sn) - As2, облученных протонами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
par: Ведерникова Т. В. Татьяна Владимировна
Publié: (Томск, [Б. и.], 2008)

Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках
par: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
Publié: (Москва, Энергоатомиздат, 1984)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publié: (Новосибирск, Наука, 1977)

Вып. 18
Publié: (1979)

Материаловедение узкощелевых и слоистых полупроводников сборник научных трудов
Publié: (Киев, Наукова думка, 1989)

Свойства и технология изготовления износостойких материалов [сборник научных трудов]
Publié: (Таллин, Изд-во ТалТУ, 1980)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2005)

Физика полупроводниковых и магнитных материалов сборник научных трудов
Publié: (Орджоникидзе, [Б. и.], 1977)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.8
par: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Publié: (Новосибирск, 2025)

Антимонид кадмия библиографический указатель
par: Пономарев В. Ф.
Publié: (Москва, 1981)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Publié: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Эпитаксиальные пленки
par: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publié: (Москва, Наука, 1971)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение монография
Publié: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Получение наночастиц сульфидов кадмия и свинца фотохимическим методом
par: Егоров Н. Б. Николай Борисович
Publié: (2004)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
par: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Publié: (Москва, Металлургия, 1974)

Электромагнитный метод анализа слоистых полупроводниковых и металлических структур
par: Григулис Ю. К. Юрис Карлович
Publié: (Рига, Зинатне, 1970)

Основы физики полупроводниковых слоистых систем
par: Литовченко В. Г. Владимир Григорьевич
Publié: (Киев, Наукова думка, 1980)

Вынужденное излучение в кристаллах сульфида кадмия при высоких уровнях возбуждения
par: Лысык В. В.
Publié: (2011)

Электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических материалов. Полупроводниковые материалы IX
Publié: (Таллин, Изд-во ТПИ, 1988)

Полупроводниковые наноструктуры сульфидов свинца, кадмия и серебра [монография]
par: Садовников С. И. Станислав Игоревич
Publié: (Москва, Физматлит, 2018)

Микроэлектронные и полупроводниковые приборы и их технология [сборник статей]
Publié: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1978)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
par: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publié: (Томск, 2010)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
par: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2007)

Obtaining of nanoparticles of СdS by photolysis of NA4CDS2O33 aqueous solutions
par: Obmuch K. V.
Publié: (2014)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
par: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2007)

Вып. 1
Publié: (1962)

Система кремний - двуокись кремния в МОП-структурах
par: Румак Н. В. Николай Владимирович
Publié: (Минск, Наука и техника, 1986)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
par: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publié: (Томск, 2010)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
par: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publié: (Нальчик, 2013)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
par: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Publié: (Томск, 2010)

Электронные свойства упорядоченных и неупорядоченных систем межвузовский тематический сборник
Publié: (Ярославль, Изд-во ЯрГУ, 1984)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 2007)

Дефекты в кристаллах полупроводников сборник статей пер. с англ.
Publié: (Москва, Мир, 1969)