Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Autor Corporativo:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Otros Autores:	Рогило Д. И. Дмитрий Игоревич (научный руководитель)
Sumario:	Защита сост. 27.01.2026 На правах рукописи
Lenguaje:	ruso
Publicado:	Новосибирск, 2025
Materias:	Пленки эпитаксиальные > Получение физика халькогениды металлы эпитаксиальный рост структурные дефекты кристаллические структуры гетероструктуры полупроводниковые подложки селен слоистые материалы авторефераты диссертаций
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=684507

Ejemplares similares

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicado: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
por: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publicado: (Нальчик, 2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2018)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
por: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicado: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
por: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Publicado: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
por: Александрова О. А.
Publicado: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (Томск, 2018)

Кинетика массопереноса на поверхности Si(111) при субмонослойном эпитаксиальном росте Si, Ge и адсорбции Sn: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.1.3.8
por: Петров А. С. Алексей Сергеевич
Publicado: (Новосибирск, 2024)

Эпитаксиальные пленки
por: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publicado: (Москва, Наука, 1971)

Кристаллохимические таблицы тройных халькогенидов
por: Ворошилов Ю. В. Юрий Витальевич
Publicado: (Москва, Наука, 1989)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
por: Сычева А. В.
Publicado: (2014)

Кинетические явления в поликристаллических пленках халькогенидов свинца и висмута
por: Азимов С. А. Садык Азимович
Publicado: (Ташкент, Фан, 1985)

Свойства халькогенидов европия: монография
por: Оболончик В. А. Василий Андреевич
Publicado: (Киев, Наукова думка, 1980)

Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и таллия
por: Соболев В. В. Валентин Викторович
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1982)

Давление пара летучих халькогенидов металлов: монография
por: Новоселова А. В. Александра Васильевна
Publicado: (Москва, Наука, 1978)

Поверхностные свойства твердых тел: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1972)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
por: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicado: (2012)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
por: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicado: (2015)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
por: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicado: (2014)

Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов
Publicado: (Ленинград, Наука, 1973)

Халькогениды (свойства, методы получения и применение)
Publicado: (Киев, Наука думка, 1967)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
por: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicado: (Москва, Энергия, 1974)

Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb): справочник
por: Шелимова Л. Е. Людмила Евгеньевна
Publicado: (Москва, Наука, 1991)

Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd); Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 3
Publicado: (2004)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Publicado: (2015)

Гетерогенная хемилюминесценция при адсорбции и рекомбинации атомов водорода на поверхности скола халькогенидов; 2 Всесоюзное совещание по хемилюминесценции
Publicado: (1986)

Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 511 : Perspective Materials of Constructional and Medical Purpose
por: Zixuan Li
Publicado: (2019)

Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
por: Голяшов В. А. Владимир Андреевич
Publicado: (Новосибирск, [Б. и.], 2022)

О политипии халькогенидов цинка и кадмия: доклад на заседании Коллоквиума 17 апреля 1963 г.
por: Пашинкин А. С.
Publicado: (Ленинград, [Б. и.], 1963)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
por: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1978)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур: [монография]
por: Корольков В. И. Владимир Ильич
Publicado: (Ташкент, Фан, 1986)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
por: Ли Цзысюань
Publicado: (2018)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Publicado: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Селениды и теллуриды редкоземельных металлов и актиноидов: [монография]
por: Оболончик В. А. Василий Андреевич
Publicado: (Киев, [Б. и.], 1966)

Электронная структура халькогенов: сера, селен, теллур
por: Соболев В. В. Валентин Викторович
Publicado: (Москва, Наука, 1988)

Ч. 1; Эффект пьезосопротивления в халькогенидах свинца и висмута
Publicado: (1989)

Т. 4 : Химия и технология халькогенов и халькогенидов; Проблемы химии и металлургии Центрального Казахстана
Publicado: (1985)

Многокомпонентные халькогениды AII BIII2 CVI4: сборник научных трудов
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1990)