Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.8

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.8

Bibliografiset tiedot
Päätekijä:	Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Yhteisötekijä:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Muut tekijät:	Рогило Д. И. Дмитрий Игоревич (727)
Yhteenveto:	Защита сот. 27.01.2026 г. На правах рукописи
Kieli:	venäjä
Julkaistu:	Новосибирск, 2025
Aiheet:	физика халькогениды металлы эпитаксиальный рост структурные дефекты кристаллические структуры гетероструктуры полупроводниковые подложки селен слоистые материалы авторефераты диссертаций
Aineistotyyppi:	Kirja
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=684507

Samankaltaisia teoksia

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
Tekijä: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Julkaistu: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
Tekijä: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Julkaistu: (Нальчик, 2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
Tekijä: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2018)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
Tekijä: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Julkaistu: (Новосибирск, 2025)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
Tekijä: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Julkaistu: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
Tekijä: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (Томск, [Б. и.], 2017)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
Tekijä: Александрова О. А.
Julkaistu: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
Tekijä: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
Tekijä: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (Томск, 2018)

Эпитаксиальные пленки
Tekijä: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Julkaistu: (Москва, Наука, 1971)

Кинетика массопереноса на поверхности Si(111) при субмонослойном эпитаксиальном росте Si, Ge и адсорбции Sn автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.1.3.8
Tekijä: Петров А. С. Алексей Сергеевич
Julkaistu: (Новосибирск, 2024)

Кристаллохимические таблицы тройных халькогенидов
Tekijä: Ворошилов Ю. В. Юрий Витальевич
Julkaistu: (Москва, Наука, 1989)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3
Tekijä: Сычева А. В.
Julkaistu: (2014)

Поверхностные свойства твердых тел пер. с англ.
Julkaistu: (Москва, Мир, 1972)

Свойства халькогенидов европия монография
Tekijä: Оболончик В. А. Василий Андреевич
Julkaistu: (Киев, Наукова думка, 1980)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
Tekijä: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Julkaistu: (2012)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
Tekijä: Олешко В. И. Владимир Иванович
Julkaistu: (2015)

Давление пара летучих халькогенидов металлов монография
Tekijä: Новоселова А. В. Александра Васильевна
Julkaistu: (Москва, Наука, 1978)

Кинетические явления в поликристаллических пленках халькогенидов свинца и висмута
Tekijä: Азимов С. А. Садык Азимович
Julkaistu: (Ташкент, Фан, 1985)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
Tekijä: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Julkaistu: (2014)

Халькогениды (свойства, методы получения и применение)
Julkaistu: (Киев, Наука думка, 1967)

Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и таллия
Tekijä: Соболев В. В. Валентин Викторович
Julkaistu: (Кишинев, Штиинца, 1982)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
Tekijä: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Julkaistu: (Москва, Энергия, 1974)

Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов
Julkaistu: (Ленинград, Наука, 1973)

Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd)
Julkaistu: (2004)

О политипии халькогенидов цинка и кадмия доклад на заседании Коллоквиума 17 апреля 1963 г.
Tekijä: Пашинкин А. С.
Julkaistu: (Ленинград, [Б. и.], 1963)

Гетерогенная хемилюминесценция при адсорбции и рекомбинации атомов водорода на поверхности скола халькогенидов
Julkaistu: (1986)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Julkaistu: (2015)

Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
Tekijä: Голяшов В. А. Владимир Андреевич
Julkaistu: (Новосибирск, [Б. и.], 2022)

Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb) справочник
Tekijä: Шелимова Л. Е. Людмила Евгеньевна
Julkaistu: (Москва, Наука, 1991)

Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation
Tekijä: Zixuan Li
Julkaistu: (2019)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур [монография]
Tekijä: Корольков В. И. Владимир Ильич
Julkaistu: (Ташкент, Фан, 1986)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок монография
Tekijä: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Julkaistu: (Новосибирск, Наука, 1978)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Julkaistu: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком
Tekijä: Ли Цзысюань
Julkaistu: (2018)

Селениды и теллуриды редкоземельных металлов и актиноидов [монография]
Tekijä: Оболончик В. А. Василий Андреевич
Julkaistu: (Киев, [Б. и.], 1966)

Электронная структура халькогенов: сера, селен, теллур
Tekijä: Соболев В. В. Валентин Викторович
Julkaistu: (Москва, Наука, 1988)

Т. 4 : Химия и технология халькогенов и халькогенидов
Julkaistu: (1985)

Ч. 1
Julkaistu: (1989)

Многокомпонентные халькогениды AII BIII2 CVI4 сборник научных трудов
Julkaistu: (Кишинев, Штиинца, 1990)