Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8

Бібліографічні деталі
Автор:	Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Співавтор:	Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Інші автори:	Рогило Д. И. Дмитрий Игоревич (научный руководитель)
Резюме:	Защита сост. 27.01.2026 На правах рукописи
Мова:	Російська
Опубліковано:	Новосибирск, 2025
Предмети:	Пленки эпитаксиальные > Получение физика халькогениды металлы эпитаксиальный рост структурные дефекты кристаллические структуры гетероструктуры полупроводниковые подложки селен слоистые материалы авторефераты диссертаций
Формат:	Книга
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=684507

Схожі ресурси

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
за авторством: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Опубліковано: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
за авторством: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Опубліковано: (Нальчик, 2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2018)

Эпитаксиальные пленки соединений АIIВVI
за авторством: Калинкин И. П. Игорь Петрович
Опубліковано: (Ленинград, Изд-во Ленинградского ун-та, 1978)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
за авторством: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Опубліковано: (Новосибирск, 2025)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
за авторством: Александрова О. А.
Опубліковано: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, 2018)

Кинетика массопереноса на поверхности Si(111) при субмонослойном эпитаксиальном росте Si, Ge и адсорбции Sn: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец.1.3.8
за авторством: Петров А. С. Алексей Сергеевич
Опубліковано: (Новосибирск, 2024)

Эпитаксиальные пленки
за авторством: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Опубліковано: (Москва, Наука, 1971)

Кристаллохимические таблицы тройных халькогенидов
за авторством: Ворошилов Ю. В. Юрий Витальевич
Опубліковано: (Москва, Наука, 1989)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
за авторством: Сычева А. В.
Опубліковано: (2014)

Поверхностные свойства твердых тел: пер. с англ.
Опубліковано: (Москва, Мир, 1972)

Кинетические явления в поликристаллических пленках халькогенидов свинца и висмута
за авторством: Азимов С. А. Садык Азимович
Опубліковано: (Ташкент, Фан, 1985)

Свойства халькогенидов европия: монография
за авторством: Оболончик В. А. Василий Андреевич
Опубліковано: (Киев, Наукова думка, 1980)

Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и таллия
за авторством: Соболев В. В. Валентин Викторович
Опубліковано: (Кишинев, Штиинца, 1982)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
за авторством: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубліковано: (2012)

Давление пара летучих халькогенидов металлов: монография
за авторством: Новоселова А. В. Александра Васильевна
Опубліковано: (Москва, Наука, 1978)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
за авторством: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубліковано: (2015)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
за авторством: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (2014)

Халькогениды (свойства, методы получения и применение)
Опубліковано: (Киев, Наука думка, 1967)

Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов
Опубліковано: (Ленинград, Наука, 1973)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
за авторством: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Опубліковано: (Москва, Энергия, 1974)

Экспериментальные свидетельства магнитно-двухфазного состояния в тонких эпитаксиальных пленках [Re0.6Ba0.4MnO3] (Re=La, Pr, Nd, Gd); Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 3
Опубліковано: (2004)

Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb): справочник
за авторством: Шелимова Л. Е. Людмила Евгеньевна
Опубліковано: (Москва, Наука, 1991)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Опубліковано: (2015)

Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 511 : Perspective Materials of Constructional and Medical Purpose
за авторством: Zixuan Li
Опубліковано: (2019)

Гетерогенная хемилюминесценция при адсорбции и рекомбинации атомов водорода на поверхности скола халькогенидов; 2 Всесоюзное совещание по хемилюминесценции
Опубліковано: (1986)

Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
за авторством: Голяшов В. А. Владимир Андреевич
Опубліковано: (Новосибирск, [Б. и.], 2022)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур: [монография]
за авторством: Корольков В. И. Владимир Ильич
Опубліковано: (Ташкент, Фан, 1986)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок: монография
за авторством: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Опубліковано: (Новосибирск, Наука, 1978)

О политипии халькогенидов цинка и кадмия: доклад на заседании Коллоквиума 17 апреля 1963 г.
за авторством: Пашинкин А. С.
Опубліковано: (Ленинград, [Б. и.], 1963)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Опубліковано: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
за авторством: Ли Цзысюань
Опубліковано: (2018)

Селениды и теллуриды редкоземельных металлов и актиноидов: [монография]
за авторством: Оболончик В. А. Василий Андреевич
Опубліковано: (Киев, [Б. и.], 1966)

Электронная структура халькогенов: сера, селен, теллур
за авторством: Соболев В. В. Валентин Викторович
Опубліковано: (Москва, Наука, 1988)

Т. 4 : Химия и технология халькогенов и халькогенидов; Проблемы химии и металлургии Центрального Казахстана
Опубліковано: (1985)

Ч. 1; Эффект пьезосопротивления в халькогенидах свинца и висмута
Опубліковано: (1989)

Молекулярно-лучевая эпитаксия диэлектрических слоев BaF2/CaF2/Si(100) для структур "полупроводник на диэлектрике": диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Филимонова Н. И. Нина Ивановна
Опубліковано: (Новосибирск, 2011)