Полупроводниковые пленки для микроэлектроники

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники

Bibliographic Details
Corporate Author:	Академия наук СССР Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Other Authors:	Александров Л. Н. (редактор), Петросян В. И.
Language:	Russian
Published:	Новосибирск, Наука, 1977
Subjects:	Полупроводниковые пленки > Получение > (электроника) эпитаксиальные пленки арсенид галлия легирование твердые растворы полуметаллы
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=683330

Similar Items

Поликристаллические пленки полупроводников в микроэлектронике
by: Колешко В. М. Владимир Михайлович
Published: (Минск, Наука и техника, 1978)

Пленки и ленты в производстве корпусов полупроводниковых приборов: учебное пособие для средних профессиональных заведений
by: Моряков О. С. Олег Сергеевич
Published: (Москва, Высшая школа, 1982)

Адгезионная способность пленок
by: Углов А. А. Александр Алексеевич
Published: (Москва, Радио и связь, 1987)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Published: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Эпитаксиальные пленки
by: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Published: (Москва, Наука, 1971)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Published: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Полупроводниковые пленки и слоистые структуры
Published: (Киев, Наукова думка, 1977)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
by: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Published: (Москва, Энергия, 1974)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
Published: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
by: Костылев С. А. Сергей Александрович
Published: (Киев, Наукова думка, 1990)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, 1999)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Published: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Published: (2009)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Published: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Published: (2011)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Published: (Москва, Мир, 1980)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2014)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Published: (2014)

Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах
Published: (Саратов, Изд-во Саратовского ун-та, 1983)

Электрооборудование кристаллизационных установок
by: Черкасов Н. М. Николай Максимович
Published: (Москва, Металлургия, 1975)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Published: (Новосибирск, Наука, 1981)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
by: Александрова О. А.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Арсенид галлия: сборник статей
Published: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник
Published: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Пономарев И. В. Иван Викторович
Published: (Томск, 2011)

Т. 16; Электроника
Published: (1984)

Эпитаксиальные датчики Холла и их применение
Published: (Ташкент, Фан, 1986)

Магнитные материалы для микроэлектроники
by: Балбашов А. М. Анатолий Михайлович
Published: (Москва, Энергия, 1979)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Карлова Г. Ф.
Published: (2011)

Монокристаллические пленки: доклады Международной конференции, 1963 г., г. Блю Белл (США)
Published: (Москва, Мир, 1966)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Published: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
by: Толбанов О. П.
Published: (2003)

Технология изделий микроэлектроники учебное пособие
by: Рыбин Н. Б.
Published: (Рязань, РГРТУ, 2023)

Газофазная микрометаллургия полупроводников
by: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Published: (Москва, Металлургия, 1974)

Физика соединений A3B5: сборник статей по материалам конференции
Published: (Ленинград, Изд-во ЛПИ, 1979)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Published: (Томск, 1989)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
by: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Published: (Нальчик, 2013)