Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
| Autor principal: | Малин Т. В. Тимур Валерьевич |
|---|---|
| Autor corporatiu: | Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570) |
| Altres autors: | Мансуров В. Г. Владимир Геннадиевич (научный руководитель) |
| Sumari: | Защита сост. 25.04.2025 На правах рукописи |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
Новосибирск, 2025
|
| Matèries: | |
| Format: | Llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=682764 |
Ítems similars
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicat: (2016)
Publicat: (2016)
Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
per: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Publicat: (Новосибирск, 2025)
per: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Publicat: (Новосибирск, 2025)
Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Publicat: (2018)
Publicat: (2018)
Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
Publicat: (2021)
Publicat: (2021)
Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Publicat: (2012)
Publicat: (2012)
К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 7 : IT-технологии и электроника
per: Томашевич А. А.
Publicat: (2017)
per: Томашевич А. А.
Publicat: (2017)
High-performance and broadband photodetection of bicrystalline (GaN)1-x(ZnO)x solid solution nanowires via crystal defect engineering; Journal of Materials Science & Technology; Vol. 85
Publicat: (2021)
Publicat: (2021)
Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Publicat: (2022)
Publicat: (2022)
"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2007)
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2007)
Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
per: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicat: (2008)
per: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicat: (2008)
Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2008)
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2008)
Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2015)
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2015)
“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2009)
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2009)
A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
per: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicat: (2009)
per: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Publicat: (2009)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicat: (2013)
Publicat: (2013)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2017)
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2017)
Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
per: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicat: (2006)
per: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicat: (2006)
Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2008)
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2008)
Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2005)
per: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Publicat: (2005)
Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
per: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicat: (2006)
per: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Publicat: (2006)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2017)
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2018)
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2018)
Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2018)
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2018)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2017)
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2017)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)
Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
per: Narita, Tetsuo
Publicat: (2020)
per: Narita, Tetsuo
Publicat: (2020)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
per: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Publicat: (2012)
per: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Publicat: (2012)
Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)
High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Publicat: (2017)
Publicat: (2017)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
per: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Publicat: (2015)
per: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Publicat: (2015)
Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Publicat: (2019)
Publicat: (2019)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
per: Васенев А. С.
Publicat: (2012)
per: Васенев А. С.
Publicat: (2012)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
per: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicat: (2012)
per: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicat: (2012)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Publicat: (2017)
Publicat: (2017)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)
The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
per: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicat: (2003)
per: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Publicat: (2003)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)
Ítems similars
-
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicat: (2016) -
Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
per: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Publicat: (Новосибирск, 2025) -
Structural Changes in a Single GaN Nanowire under Applied Voltage Bias; Nano Letters; Vol. 18, iss. 9
Publicat: (2018) -
Influence of Contacts and Applied Voltage on a Structure of a Single GaN Nanowire; Applied Sciences; Vol. 11, iss. 20
Publicat: (2021) -
Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Publicat: (2012)