Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов, автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Autor corporatiu: Российская академия наук Сибирское отделение Институт физики полупроводников (570)
Altres autors: Мансуров В. Г. Владимир Геннадиевич (научный руководитель)
Sumari:Защита сост. 25.04.2025
На правах рукописи
Idioma:rus
Publicat: Новосибирск, 2025
Matèries:
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=682764

Ítems similars