|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
682764 |
| 005 |
20251209104656.0 |
| 090 |
|
|
|a 682764
|
| 100 |
|
|
|a 20251101d2025 k||y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a dm 001yy
|
| 181 |
|
0 |
|a i
|b e
|
| 182 |
|
0 |
|a n
|
| 183 |
|
0 |
|a nc
|2 RDAcarrier
|
| 200 |
1 |
|
|a Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов
|e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
|e спец. 1.3.11
|f Малин Тимур Валерьевич
|g науч. рук. В. Г. Мансуров ; Институт физики полупроводников СО РАН
|
| 203 |
|
|
|a Текст
|b визуальный
|c непосредственный
|
| 210 |
|
1 |
|a Новосибирск
|d 2025
|
| 215 |
|
|
|a 20 с.
|c ил.
|
| 283 |
|
|
|a volume
|2 RDAcarrier
|
| 300 |
|
|
|a Защита сост. 25.04.2025
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 17-20
|
| 333 |
|
|
|a На правах рукописи
|
| 606 |
|
|
|a Пленки эпитаксиальные
|x Получение
|9 68041
|
| 610 |
1 |
|
|a физика
|
| 610 |
1 |
|
|a аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 610 |
1 |
|
|a рост
|
| 610 |
1 |
|
|a физические свойства
|
| 610 |
1 |
|
|a выращивание
|
| 610 |
1 |
|
|a кремниевые подложки
|
| 610 |
1 |
|
|a GaN
|
| 610 |
1 |
|
|a трещины
|
| 610 |
1 |
|
|a электроны
|
| 610 |
1 |
|
|a авторефераты диссертаций
|
| 675 |
|
|
|a 539.23
|v 4
|
| 686 |
|
|
|2 oksvnk
|a 01.04.10
|
| 700 |
|
1 |
|a Малин
|b Т. В.
|g Тимур Валерьевич
|
| 702 |
|
1 |
|4 727
|a Мансуров
|b В. Г.
|g Владимир Геннадиевич
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Российская академия наук
|b Сибирское отделение
|b Институт физики полупроводников
|c (Новосибирск)
|4 570
|9 23267
|
| 801 |
|
0 |
|a RU
|b 63413507
|c 20251106
|
| 850 |
|
|
|a 63413507
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
