Малин Т. В. Тимур Валерьевич & Мансуров В. Г. Владимир Геннадиевич. (2025). Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11. Новосибирск, 2025.
Chicago Style (17th ed.) CitationМалин Т. В. Тимур Валерьевич and Мансуров В. Г. Владимир Геннадиевич. Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11. Новосибирск, 2025, 2025.
MLA citiranjeМалин Т. В. Тимур Валерьевич and Мансуров В. Г. Владимир Геннадиевич. Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11. Новосибирск, 2025, 2025.