Первый глобальный высокоточный анализ абсолютных интенсивностей линий поглощения 24 полос октады молекулы SiH4

Первый глобальный высокоточный анализ абсолютных интенсивностей линий поглощения 24 полос октады молекулы SiH4

Detalles Bibliográficos
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XХII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 22-25 апреля 2025/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет ; под ред. И. А. Курзиной [и др.].— .— Томск: Изд-во ТПУ
Т. 1 : Физика.— 2025.— С. 71-73
Autor Principal: Горбачева Е. Д.
Outros autores: Николаева В. Е. (727), Громова О. В. Ольга Васильевна
Summary:Заглавие с экрана
In the present study, we analyzed highly detailed infrared spectra of SiH₄. The analysis of absolute absorption line intensities of 24 bands of the SiH4 molecule octad was performed using the wxspe2 program. The contours of 4022 lines were described by Voigt and Hartmann–Tran contours in the weak spectrum and 1008 lines in the strong spectrum
Текстовый файл
Publicado: 2025
Subjects:
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
absolute intensities
the Voigt profile
the Hartmann-Tran profile
silane
Acceso en liña:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/132816
Formato: Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=682373

Títulos similares

Títulos similares