Золь-гель синтез прозрачных проводящих пленок ZnO из раствора салицилата цинка
| Parent link: | Вестник Томского государственного университета. Химия.— .— Томск: ТГУ № 25.— 2022.— С. 7-19 |
|---|---|
| Rannpháirtithe: | , , , |
| Achoimre: | Заглавие с экрана Разработка золь-гель методов получения тонких пленок оксидов с низкими температурами их образования способствует развитию производства фотоэлементов на основе оксида цинка, нанесенного не только на стекла, но и на прозрачные термостойкие полимерные материалы, для создания на их основе гибких солнечных элементов. Данная работа посвящена низкотемпературному получению пленок оксида цинка из пленкообразующего раствора (ПОР) на основе салицилата цинка. Методом вискозиметрии и ИК-спектроскопии установлено, что в состав ПОР входит салицилат цинка ZnSal2, и раствор пригоден для получения пленок со стабильными свойствами уже через сутки со дня его приготовления. Термическая деструкция ПОР протекает в три этапа и завершается при температуре 350°С образованием оксида цинка структуры вюрцита. Увеличение времени отжига пленок с 24 до 48 ч позволяет формировать более кристаллическую структуру оксида, что приводит к росту проводимости тонкопленочного материала как на кремниевой, так и на стеклянной подложке при сохранении коэффициента прозрачности в видимой области спектра (75–78%). Увеличение толщины пленок ZnO приводит к нарушению их сплошности (двух- и трехслойные пленки содержат дендрообразные макродефекты-трещины) и снижению сопротивления, а также к снижению их прозрачности (Т = 60%) The development of low temperatures sol-gel methods for producing thin oxide films contributes to the development of the direction of creating photocells based on zinc oxide applied not only to glass, but also to transparent heat-resistant polymeric materials to create flexible solar cells. This work is devoted to the low-temperature preparation of zinc oxide films from a film-forming solution (FFS) based on zinc salicylate. By viscometry and IR spectroscopy it was established that the FFS contains ZnSal2 and the solution is suitable for obtaining films with stable properties within a day from the day of its preparation. Thermal destruction of FFS proceeds in three stages and ends at a temperature of 350°C with the formation of zinc oxide with the wurtzite crystal structure. An increase in the annealing time of the films from 24 to 48 hours makes it possible to form a more crystalline structure of the oxide, which leads to an increase in the conductivity of the thin-film material on both silicon and glass substrates while maintaining the transparency coefficient in the visible region of the spectrum (75–78%). An increase in the thickness of ZnO films leads to a violation of their continuity (two and three-layer films contain dendro-like macro defects-cracks) and a decrease in resistance, as well as to a decrease in their transparency (T = 60%) Текстовый файл |
| Teanga: | Rúisis |
| Foilsithe / Cruthaithe: |
2022
|
| Ábhair: | |
| Rochtain ar líne: | http://dx.doi.org/10.17223/24135542/25/1 |
| Formáid: | Leictreonach Caibidil leabhair |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=682044 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 682044 | ||
| 005 | 20251002102044.0 | ||
| 090 | |a 682044 | ||
| 100 | |a 20251002d2022 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i |b e | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 183 | 0 | |a cr |2 RDAcarrier | |
| 200 | 1 | |a Золь-гель синтез прозрачных проводящих пленок ZnO из раствора салицилата цинка |d Sol-gel synthesis of transparent conductive ZnO films from zinc salicylate solution |f С. А. Кузнецова, О. С. Халипова, Е. В. Пак, А. Г. Мальчик |z eng | |
| 203 | |a Текст |b визуальный |c электронный | ||
| 283 | |a online_resource |2 RDAcarrier | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a Список литературы: 16 назв | ||
| 330 | |a Разработка золь-гель методов получения тонких пленок оксидов с низкими температурами их образования способствует развитию производства фотоэлементов на основе оксида цинка, нанесенного не только на стекла, но и на прозрачные термостойкие полимерные материалы, для создания на их основе гибких солнечных элементов. Данная работа посвящена низкотемпературному получению пленок оксида цинка из пленкообразующего раствора (ПОР) на основе салицилата цинка. Методом вискозиметрии и ИК-спектроскопии установлено, что в состав ПОР входит салицилат цинка ZnSal2, и раствор пригоден для получения пленок со стабильными свойствами уже через сутки со дня его приготовления. Термическая деструкция ПОР протекает в три этапа и завершается при температуре 350°С образованием оксида цинка структуры вюрцита. Увеличение времени отжига пленок с 24 до 48 ч позволяет формировать более кристаллическую структуру оксида, что приводит к росту проводимости тонкопленочного материала как на кремниевой, так и на стеклянной подложке при сохранении коэффициента прозрачности в видимой области спектра (75–78%). Увеличение толщины пленок ZnO приводит к нарушению их сплошности (двух- и трехслойные пленки содержат дендрообразные макродефекты-трещины) и снижению сопротивления, а также к снижению их прозрачности (Т = 60%) | ||
| 330 | |a The development of low temperatures sol-gel methods for producing thin oxide films contributes to the development of the direction of creating photocells based on zinc oxide applied not only to glass, but also to transparent heat-resistant polymeric materials to create flexible solar cells. This work is devoted to the low-temperature preparation of zinc oxide films from a film-forming solution (FFS) based on zinc salicylate. By viscometry and IR spectroscopy it was established that the FFS contains ZnSal2 and the solution is suitable for obtaining films with stable properties within a day from the day of its preparation. Thermal destruction of FFS proceeds in three stages and ends at a temperature of 350°C with the formation of zinc oxide with the wurtzite crystal structure. An increase in the annealing time of the films from 24 to 48 hours makes it possible to form a more crystalline structure of the oxide, which leads to an increase in the conductivity of the thin-film material on both silicon and glass substrates while maintaining the transparency coefficient in the visible region of the spectrum (75–78%). An increase in the thickness of ZnO films leads to a violation of their continuity (two and three-layer films contain dendro-like macro defects-cracks) and a decrease in resistance, as well as to a decrease in their transparency (T = 60%) | ||
| 336 | |a Текстовый файл | ||
| 461 | 1 | |t Вестник Томского государственного университета. Химия |c Томск |n ТГУ | |
| 463 | 1 | |t № 25 |v С. 7-19 |d 2022 | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a пленкообразующий раствор | |
| 610 | 1 | |a салицилат цинка | |
| 610 | 1 | |a оксид цинка | |
| 610 | 1 | |a тонкие пленки | |
| 610 | 1 | |a солнечные элементы | |
| 701 | 1 | |a Кузнецова |b С. А. |g Светлана Анатольевна | |
| 701 | 1 | |a Халипова |b О. С. |g Ольга Сергеевна | |
| 701 | 1 | |a Пак |b Е. В. |g Евгения Владимировна | |
| 701 | 1 | |a Мальчик |b А. Г. |c специалист в области экологии и безопасности жизнедеятельности |c доцент Юргинского технологического института Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1970- |g Александра Геннадьевна |9 15471 | |
| 801 | 0 | |a RU |b 63413507 |c 20251002 |g RCR | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 856 | 4 | |u http://dx.doi.org/10.17223/24135542/25/1 |z http://dx.doi.org/10.17223/24135542/25/1 | |
| 942 | |c CF | ||