Исследование высокоинтенсивной имплантации ионов титана в кремний в условиях энергетического воздействия пучка на поверхность
| Parent link: | Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.— .— Москва: Российская академия наук Институт физики твердого тела РАН № 10.— 2024.— С. 74-79 |
|---|---|
| Այլ հեղինակներ: | , , , , , , |
| Ամփոփում: | Заглавие с экрана Методы модификации поверхностного и приповерхностных слоев материалов и покрытий ионными пучками находят применение во многих областях науки и техники. Развитие методов глубокого ионного легирования приповерхностных слоев полупроводниковых материалов, а также металлов и сплавов благодаря усилению радиационно-стимулированной диффузии в условиях, когда глубокие слои облучаемого образца не подвергаются значительному температурному воздействию, представляет значительный интерес для практической реализации технологий направленного улучшения эксплуатационных свойств деталей и изделий различного назначения. Настоящая работа посвящена исследованию особенностей и закономерностей высокоинтенсивной имплантации ионов титана при плотностях тока в несколько сотен мА/см2 с одновременным энергетическим воздействием на поверхность пучка ионов длительностью менее 1 мс с плотностью мощности, достигающей нескольких десятков кВт/см2. Впервые на примере имплантации титана в кремний показано, что сочетание высокоинтенсивной имплантации ионов и энергетического воздействия пучка ионов высокой плотности мощности обеспечивает возможность роста глубины ионного легирования от долей мкм до 6 мкм за счет увеличения времени облучения от 0.5 до 60 мин Methods of modifying surface and near-surface layers of materials and coatings by ion beams can be applied in many fields of science and technology. To practically implement the technologies for the targeted improvement of the performance properties of parts and products for various purposes, it is of great interest to develop the methods of deep ion doping of near-surface layers of semiconductor materials, as well as metals and alloys due to the enhancement of radiation-stimulated diffusion under conditions when the irradiated sample’s deep layers are not subjected to significant temperature impact. This work studies the features and regularities of the implementing the synergy of high-intensity titanium ion implantation at current densities of several hundred milliamps per square centimeter with simultaneous energy impact of a submillisecond ion beam with a power density reaching several tens of kilowatts per square centimeter on the surface. This work is the first to show that the synergy of high-intensity ion implantation and the energy impact of a high-power density ion beam, taking the titanium implantation into silicon as an example, provides the possibility of increasing the ion doping depth from fractions of a micron to 6 pm by increasing the irradiation time from 0.5 to 60 min Текстовый файл |
| Լեզու: | ռուսերեն |
| Հրապարակվել է: |
2024
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://elibrary.ru/item.asp?id=75217464 |
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=681867 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 681867 | ||
| 005 | 20251226071628.0 | ||
| 090 | |a 681867 | ||
| 100 | |a 20250925d2024 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i |b e | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 183 | 0 | |a cr |2 RDAcarrier | |
| 200 | 1 | |a Исследование высокоинтенсивной имплантации ионов титана в кремний в условиях энергетического воздействия пучка на поверхность |d Investigation of high-intensity implantation of titanium ions into silicon under conditions of the beam’s energy impact on the surface |f Иванова А. И., Вахрушев Д. О., Корнева О. С. [и др.] |z eng | |
| 283 | |a online_resource |2 RDAcarrier | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a Список литературы: 27 назв | ||
| 330 | |a Методы модификации поверхностного и приповерхностных слоев материалов и покрытий ионными пучками находят применение во многих областях науки и техники. Развитие методов глубокого ионного легирования приповерхностных слоев полупроводниковых материалов, а также металлов и сплавов благодаря усилению радиационно-стимулированной диффузии в условиях, когда глубокие слои облучаемого образца не подвергаются значительному температурному воздействию, представляет значительный интерес для практической реализации технологий направленного улучшения эксплуатационных свойств деталей и изделий различного назначения. Настоящая работа посвящена исследованию особенностей и закономерностей высокоинтенсивной имплантации ионов титана при плотностях тока в несколько сотен мА/см2 с одновременным энергетическим воздействием на поверхность пучка ионов длительностью менее 1 мс с плотностью мощности, достигающей нескольких десятков кВт/см2. Впервые на примере имплантации титана в кремний показано, что сочетание высокоинтенсивной имплантации ионов и энергетического воздействия пучка ионов высокой плотности мощности обеспечивает возможность роста глубины ионного легирования от долей мкм до 6 мкм за счет увеличения времени облучения от 0.5 до 60 мин | ||
| 330 | |a Methods of modifying surface and near-surface layers of materials and coatings by ion beams can be applied in many fields of science and technology. To practically implement the technologies for the targeted improvement of the performance properties of parts and products for various purposes, it is of great interest to develop the methods of deep ion doping of near-surface layers of semiconductor materials, as well as metals and alloys due to the enhancement of radiation-stimulated diffusion under conditions when the irradiated sample’s deep layers are not subjected to significant temperature impact. This work studies the features and regularities of the implementing the synergy of high-intensity titanium ion implantation at current densities of several hundred milliamps per square centimeter with simultaneous energy impact of a submillisecond ion beam with a power density reaching several tens of kilowatts per square centimeter on the surface. This work is the first to show that the synergy of high-intensity ion implantation and the energy impact of a high-power density ion beam, taking the titanium implantation into silicon as an example, provides the possibility of increasing the ion doping depth from fractions of a micron to 6 pm by increasing the irradiation time from 0.5 to 60 min | ||
| 336 | |a Текстовый файл | ||
| 461 | 1 | |t Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования |c Москва |n Российская академия наук Институт физики твердого тела РАН | |
| 463 | 1 | |t № 10 |v С. 74-79 |d 2024 | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a ионная имплантация | |
| 610 | 1 | |a энергетическое воздействие | |
| 610 | 1 | |a динамика температурных полей | |
| 610 | 1 | |a радиационно-стимулированная диффузия | |
| 610 | 1 | |a глубокое ионное легирование | |
| 610 | 1 | |a ионы титана | |
| 610 | 1 | |a кремний | |
| 610 | 1 | |a модификация поверхности | |
| 610 | 1 | |a вакуумная дуга | |
| 610 | 1 | |a инфракрасный пирометр | |
| 701 | 1 | |a Иванова |b А. И. |c физик |c младший научный сотрудник Томского политехнического университета |f 1987- |g Анна Ивановна |9 20001 | |
| 701 | 1 | |a Вахрушев |b Д. О. |c физик |c инженер Томского политехнического университета |f 1998- |g Димитрий Олегович |9 22695 | |
| 701 | 1 | |a Корнева |b О. С. |c физик |c инженер Томского политехнического университета |f 1988- |g Ольга Сергеевна |9 19812 | |
| 701 | 1 | |a Гурулев |b А. В. |c физик |c инженер Томского политехнического университета |f 1998- |g Александр Валерьевич |9 88472 | |
| 701 | 1 | |a Варлачев (Варлачёв) |b В. А. |c физик, специалист в области ядерных технологий |c профессор-консультант Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1948- |g Валерий Александрович |y Томск |9 13093 | |
| 701 | 1 | |a Ефимов |b Д. Д. |g Дмитрий Давидович | |
| 701 | 1 | |a Чернышев |b А. А. | |
| 801 | 0 | |a RU |b 63413507 |c 20250925 |g RCR | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 856 | 4 | |u https://elibrary.ru/item.asp?id=75217464 |z https://elibrary.ru/item.asp?id=75217464 | |
| 942 | |c CF | ||