Исследование эффектов синергии высокоинтенсивной имплантации ионов титана в кремний и энергетического воздействия ионного пучка на поверхность

Dades bibliogràfiques
Parent link:Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет.— .— Томск: Изд-во ТГУ, 1958-.— 0021-3411
Т. 66, № 4.— 2023.— С. 134-137
Altres autors: Вахрушев Д. О. Димитрий Олегович, Гурулев А. В. Александр Валерьевич, Ефимов Д. Д. Дмитрий Давидович, Иванова А. И. Анна Ивановна, Корнева О. С. Ольга Сергеевна
Sumari:Заглавие с экрана
Изучен метод глубокого ионного легирования материалов, основанного на синергии высокоинтенсивной имплантации и энергетического воздействия на поверхность пучка ионов с высокой плотностью мощности субмиллисекундной длительности. Показана возможность получения ионно-легированных слоёв с толщиной от менее 0.1 мкм до более чем 1 мкм в зависимости от флюенса облучения
A method of deep ion doping of materials based on the synergy of high-intensity implantation and the energy impact on the surface of an ion beam with a high power density of submillisecond pulse duration are studied. The possibility of obtaining ion-doped layers with a thickness from less than 0.1 µm to more than 1 µm depending on the irradiation fluence is shown
Текстовый файл
Idioma:rus
Publicat: 2023
Matèries:
Accés en línia:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=53325174
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=680392

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 680392
005 20250529162030.0
090 |a 680392 
100 |a 20250529d2023 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a arcn ---uucaa 
181 0 |a i   |b  e  
182 0 |a b 
183 0 |a cr  |2 RDAcarrier 
200 1 |a Исследование эффектов синергии высокоинтенсивной имплантации ионов титана в кремний и энергетического воздействия ионного пучка на поверхность  |d Study of the synergy effects of high-intensity implantation of titanium ions into silicon and the energy impact of the ion beam on the surface  |z eng  |f Д. О. Вахрушев, А. В. Гурулев, Д. Д. Ефимов [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный  |b визуальный 
283 |a online_resource  |2 RDAcarrier 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a Список литературы: 7 назв 
330 |a Изучен метод глубокого ионного легирования материалов, основанного на синергии высокоинтенсивной имплантации и энергетического воздействия на поверхность пучка ионов с высокой плотностью мощности субмиллисекундной длительности. Показана возможность получения ионно-легированных слоёв с толщиной от менее 0.1 мкм до более чем 1 мкм в зависимости от флюенса облучения 
330 |a A method of deep ion doping of materials based on the synergy of high-intensity implantation and the energy impact on the surface of an ion beam with a high power density of submillisecond pulse duration are studied. The possibility of obtaining ion-doped layers with a thickness from less than 0.1 µm to more than 1 µm depending on the irradiation fluence is shown 
336 |a Текстовый файл 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\191  |9 379770  |t Известия вузов. Физика  |l Russian Physics Journal  |o научный журнал  |f Национальный исследовательский Томский государственный университет  |c Томск  |n Изд-во ТГУ  |d 1958-  |x 0021-3411 
463 1 |0 590411  |9 590411  |t Т. 66, № 4  |v С. 134-137  |d 2023 
610 1 |a ионная имплантация 
610 1 |a энергетическое воздействие 
610 1 |a динамика температурных полей 
610 1 |a радиационно-стимулированная диффузия 
610 1 |a глубокое ионное легирование 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
701 1 |a Вахрушев  |b Д. О.  |c физик  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1998-  |g Димитрий Олегович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\47102  |9 22695 
701 1 |a Гурулев  |b А. В.  |c физик  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1998-  |g Александр Валерьевич  |9 88472 
701 1 |a Ефимов  |b Д. Д.  |g Дмитрий Давидович 
701 1 |a Иванова  |b А. И.  |c физик  |c младший научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1987-  |g Анна Ивановна  |9 20001 
701 1 |a Корнева  |b О. С.  |c физик  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1988-  |g Ольга Сергеевна  |9 19812 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20250529  |g RCR 
850 |a 63413507 
856 4 0 |u https://www.elibrary.ru/item.asp?id=53325174  |z https://www.elibrary.ru/item.asp?id=53325174 
942 |c CF