Исследование эффектов синергии высокоинтенсивной имплантации ионов титана в кремний и энергетического воздействия ионного пучка на поверхность
| Parent link: | Известия вузов. Физика=Russian Physics Journal: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет.— .— Томск: Изд-во ТГУ, 1958-.— 0021-3411 Т. 66, № 4.— 2023.— С. 134-137 |
|---|---|
| Muut tekijät: | , , , , |
| Yhteenveto: | Заглавие с экрана Изучен метод глубокого ионного легирования материалов, основанного на синергии высокоинтенсивной имплантации и энергетического воздействия на поверхность пучка ионов с высокой плотностью мощности субмиллисекундной длительности. Показана возможность получения ионно-легированных слоёв с толщиной от менее 0.1 мкм до более чем 1 мкм в зависимости от флюенса облучения A method of deep ion doping of materials based on the synergy of high-intensity implantation and the energy impact on the surface of an ion beam with a high power density of submillisecond pulse duration are studied. The possibility of obtaining ion-doped layers with a thickness from less than 0.1 µm to more than 1 µm depending on the irradiation fluence is shown Текстовый файл |
| Julkaistu: |
2023
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://www.elibrary.ru/item.asp?id=53325174 |
| Aineistotyyppi: | Elektroninen Kirjan osa |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=680392 |
| Yhteenveto: | Заглавие с экрана Изучен метод глубокого ионного легирования материалов, основанного на синергии высокоинтенсивной имплантации и энергетического воздействия на поверхность пучка ионов с высокой плотностью мощности субмиллисекундной длительности. Показана возможность получения ионно-легированных слоёв с толщиной от менее 0.1 мкм до более чем 1 мкм в зависимости от флюенса облучения A method of deep ion doping of materials based on the synergy of high-intensity implantation and the energy impact on the surface of an ion beam with a high power density of submillisecond pulse duration are studied. The possibility of obtaining ion-doped layers with a thickness from less than 0.1 µm to more than 1 µm depending on the irradiation fluence is shown Текстовый файл |
|---|