• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Recherche avancée
  • Т. 57, вып. 3; Физика и техник...
  • Citer
  • Envoyer par SMS
  • Envoyer par courriel
  • Imprimer
  • Exporter les notices
    • Exporter vers RefWorks
    • Exporter vers EndNoteWeb
    • Exporter vers EndNote
  • Permalien
Export terminé — 
Т. 57, вып. 3; Физика и техника полупроводников

Т. 57, вып. 3; Физика и техника полупроводников

Détails bibliographiques
Parent link:Физика и техника полупроводников=Semiconductors/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). Т. 57, вып. 3.— .— Санкт-Петербург: Наука, 1967-.— 0015-3222
Résumé:Текстовый файл
Langue:russe
Publié: 2023
Accès en ligne:https://journals.ioffe.ru/issues/2286
Format: MixedMaterials Électronique Livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=679809
  • Exemplaires
  • Description
  • Documents similaires
  • Affichage MARC

Internet

https://journals.ioffe.ru/issues/2286

Documents similaires

  • Т. 57, вып. 3; Физика и техника полупроводников
    Publié: (2023)
  • Т. 57, вып. 4; Физика и техника полупроводников
    Publié: (2023)
  • Т. 57, вып. 9; Физика и техника полупроводников
    Publié: (2023)
  • Т. 57, вып. 1; Физика и техника полупроводников
    Publié: (2023)
  • Т. 57, вып. 2; Физика и техника полупроводников
    Publié: (2023)