• English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
Avançada
  • Электрофизические свойства арс...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Exportació completada — 
Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Сытенко Т. Н.
Autor corporatiu: Киевский политехнический институт (570)
Idioma:rus
Publicat: Киев, Изд-во КПИ, 1978
Matèries:
Галлий, арсенид > Химия
арсенид галлия
полупроводники
поверхностно-чувствительные эффекты
низкотемпературные неравновесные процессы
низкие температуры
электронные процессы
криогенные температуры
поверхностные состояния
полевая генерация
учебные пособия
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=678120
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal

Ítems similars

  • Gallium arsenide digital integrated circuit design
    per: Long Stephen I
    Publicat: (New York, McGraw-Hill, 1990)
  • Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
    per: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
    Publicat: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
  • Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
    Publicat: (Ташкент, Фан, 1986)
  • Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
    per: Ардышев М. В.
    Publicat: (2002)
  • Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
    Publicat: (Томск, 1988)