Разработка составов стёкол для защиты p-n перехода; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
| Parent link: | Химия и химическая технология в XXI веке: материалы XXV Юбилейной Международной научно-практической конференции студентов и молодых ученых имени выдающихся химиков Л.П. Кулёва и Н.М. Кижнера, посвященной 100-летию со дня рождения профессора В.П. Лопатинского, 20-24 мая 2024 г., г. Томск/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет.— .— Томск: Изд-во ТПУ, 2024 Т. 1.— 2024.— С. 66-67 |
|---|---|
| Autor principal: | Комаров Д. В. |
| Outros Autores: | Дитц А. А. Александр Андреевич (научный руководитель) |
| Resumo: | Заглавие с экрана Текстовый файл |
| Idioma: | russo |
| Publicado em: |
2024
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/83138 |
| Formato: | Recurso Eletrônico Capítulo de Livro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=677069 |
Registros relacionados
Изучение выпрямляющих свойств электронно-дырочного перехода учебно-методическое пособие
por: Владимирова Л. Н.
Publicado em: (Воронеж, ВГУ, 2019)
por: Владимирова Л. Н.
Publicado em: (Воронеж, ВГУ, 2019)
Моделирование состава стеклопокрытия для защиты p-n перехода; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
por: Нестеренко А. А.
Publicado em: (2023)
por: Нестеренко А. А.
Publicado em: (2023)
Лавинный пробой p-n - перехода в полупроводниках
por: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Publicado em: (Ленинград, Энергия, 1980)
por: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Publicado em: (Ленинград, Энергия, 1980)
Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения; Современные техника и технологии; Т. 1
por: Гущин В. А.
Publicado em: (2012)
por: Гущин В. А.
Publicado em: (2012)
Элементы оптоэлектроники учебное пособие
por: Богатиков Е. В.
Publicado em: (Воронеж, ВГУ, 2010)
por: Богатиков Е. В.
Publicado em: (Воронеж, ВГУ, 2010)
Электроника учебное пособие
por: Соколов О. А.
Publicado em: (Санкт-Петербург, СПБГУ ГА им. А.А. Новикова, 2022)
por: Соколов О. А.
Publicado em: (Санкт-Петербург, СПБГУ ГА им. А.А. Новикова, 2022)
Частотная модуляция с помощью емкостей p-n переходов
por: Чудаков И. М. Игорь Михайлович
Publicado em: (Москва, Связь, 1968)
por: Чудаков И. М. Игорь Михайлович
Publicado em: (Москва, Связь, 1968)
Проверка формулы Шокли для р-п-перехода и определения ширины запрещенной зоны германия
por: Фетисов И. Н.
Publicado em: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2007)
por: Фетисов И. Н.
Publicado em: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2007)
Физика полупроводниковых приборов
por: Гришаев В. Я.
Publicado em: (Саранск, МГУ им. Н.П. Огарева, 2020)
por: Гришаев В. Я.
Publicado em: (Саранск, МГУ им. Н.П. Огарева, 2020)
Электроника учебно-методическое пособие
por: Салахова А. Ш.
Publicado em: (Казань, КНИТУ-КАИ, 2020)
por: Салахова А. Ш.
Publicado em: (Казань, КНИТУ-КАИ, 2020)
Полупроводниковые приборы и их применение учебное пособие
por: Астапенко Э. С.
Publicado em: (Томск, ТГАСУ, 2021)
por: Астапенко Э. С.
Publicado em: (Томск, ТГАСУ, 2021)
Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах p-n-p-n структуры
por: Арефьев А. А. Александр Афанасьевич
Publicado em: (Москва, Радио и связь, 1982)
por: Арефьев А. А. Александр Афанасьевич
Publicado em: (Москва, Радио и связь, 1982)
Физико-химические свойства полупроводниковых материалов
por: Ермолаева В. И.
Publicado em: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006)
por: Ермолаева В. И.
Publicado em: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006)
Физика p - n-переходов
Publicado em: (Рига, Зинатне, 1966)
Publicado em: (Рига, Зинатне, 1966)
Твердотельная электроника учебно-методическое пособие
por: Ковалев А. Н.
Publicado em: (Москва, МИСИС, 2010)
por: Ковалев А. Н.
Publicado em: (Москва, МИСИС, 2010)
Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
por: Кудряшов В. Е.
Publicado em: (2003)
por: Кудряшов В. Е.
Publicado em: (2003)
Микро- и наноэлектроника: Сборник задач и примеры их решения учеб. пособие
por: Драгунов В. П.
Publicado em: (Новосибирск, НГТУ, 2015)
por: Драгунов В. П.
Publicado em: (Новосибирск, НГТУ, 2015)
Расчёт и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером электронное учебно-методическое пособие
por: Дорохин М. В.
Publicado em: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012)
por: Дорохин М. В.
Publicado em: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012)
Физические основы электроники конспект лекций для обучающихся по образовательным программам высшего образования по направлениям подготовки 11.03.02 инфокоммуникационные технологии и системы связи и 11.03.04 электроника и наноэлектроника
por: Булатов В. Н.
Publicado em: (Оренбург, ОГУ, 2018)
por: Булатов В. Н.
Publicado em: (Оренбург, ОГУ, 2018)
Электроника курс лекций по дисциплине «электроника и микропроцессорная техника» для студентов, обучающихся по направлению подготовки 13.03.02 «электроэнергетика и электротехника», профили: «электроснабжение», «релейная защита и автоматизация электроэнергетических систем» (все формы обучения)
por: Евдокимов А. П.
Publicado em: (Волгоград, Волгоградский ГАУ, 2018)
por: Евдокимов А. П.
Publicado em: (Волгоград, Волгоградский ГАУ, 2018)
Термодинамика наноразмерных систем
por: Тарасевич Ю. Г.
Publicado em: (Гродно, ГрГУ им. Янки Купалы, 2022)
por: Тарасевич Ю. Г.
Publicado em: (Гродно, ГрГУ им. Янки Купалы, 2022)
Распределение потенциала, поля и концентраций носителей тока в области сильного поля вплавленных p-n-переходов и pin-структур: Ч. 1; Известия вузов. Физика; № 1
por: Рябинкин Ю. С.
Publicado em: (1960)
por: Рябинкин Ю. С.
Publicado em: (1960)
Распределение потенциала, поля и концентраций носителей тока в области сильного поля вплавленных p-n-переходов и pin-структур: Ч. 2; Известия вузов. Физика; № 3
por: Рябинкин Ю. С.
Publicado em: (1960)
por: Рябинкин Ю. С.
Publicado em: (1960)
Промышленная электроника. Часть 1. Лабораторный практикум для студентов бакалавриата по направлениям подготовки 09.03.01 «Информатика и вычислительная техника», 15.03.04 «Автоматизация технологических процессов и производств», 18.03.01 «Химическая технология», 18.03.02 «Энерго- и ресурсосберегающие процессы в химической технологии, нефтехимии и биотехнологии» всех форм обучения
por: Лурье М. С.
Publicado em: (Красноярск, СибГУ им. академика М. Ф. Решетнёва, 2023)
por: Лурье М. С.
Publicado em: (Красноярск, СибГУ им. академика М. Ф. Решетнёва, 2023)
СВЧ фазовращатели и переключатели. Особенности создания на p-i-n-диодах в интегральном исполнении
por: Хижа Г. С. Георгий Степанович
Publicado em: (Москва, Радио и связь, 1984)
por: Хижа Г. С. Георгий Степанович
Publicado em: (Москва, Радио и связь, 1984)
Управляемые полупроводниковые вентили. Принцицы действия и области применения p-n-p-n устройств: пер. с англ.
Publicado em: (Москва, Мир, 1967)
Publicado em: (Москва, Мир, 1967)
Полупроводниковые приборы
por: Белоусов В. Н.
Publicado em: (Москва, МИЭТ, 2013)
por: Белоусов В. Н.
Publicado em: (Москва, МИЭТ, 2013)
Полупроводниковые элементы электронных устройств
por: Орлов Г. А.
Publicado em: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
por: Орлов Г. А.
Publicado em: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
Effect of N2 to total pressure ratio on the structure, mechanical and tribological properties of magnetron-sputtered Ti-Al-Ta-Si-N coatings; Surface and Coatings Technology; Vol. 492
Publicado em: (2024)
Publicado em: (2024)
Фотоиндуцированное окрашивание кварцевых стекол; Оптические и спектральные свойства стекол
por: Овчаров А. Т.
Publicado em: (1986)
por: Овчаров А. Т.
Publicado em: (1986)
Электроника учебное пособие
por: Пигарев Л. А.
Publicado em: (Санкт-Петербург, СПбГАУ, 2017)
por: Пигарев Л. А.
Publicado em: (Санкт-Петербург, СПбГАУ, 2017)
Влияние температуры и времени на угол смачивания стеклом монокристалла кремния; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
por: Комаров Д. В.
Publicado em: (2024)
por: Комаров Д. В.
Publicado em: (2024)
Влияние способа сваpки на стpуктуpу и свойства сваpных соединений pазноpодных сталей; Сварочное производство; № 12
por: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Publicado em: (2009)
por: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Publicado em: (2009)
Пространства типа Соболева-Винера и асимптотические свойства их функций
por: Янов С. И.
Publicado em: (Барнаул, АлтГПУ, 2007)
por: Янов С. И.
Publicado em: (Барнаул, АлтГПУ, 2007)
Новые методы расчета электрических полей и пробивных напряжений p-n переходов в полупроводниковых приборах: монография
por: Петров Б. К. Борис Константинович
Publicado em: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 2008)
por: Петров Б. К. Борис Константинович
Publicado em: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 2008)
Моpфология повеpхности титана ВТ1-0 после электpовзpывного легиpования алюминием и электpонно-пучковой обpаботки; Деформация и разрушение материалов; № 9
Publicado em: (2009)
Publicado em: (2009)
Научные основы материаловедения стекол: учебное пособие
por: Немилов С. В. Сергей Владимирович
Publicado em: (Санкт-Петербург, Лань, 2018)
por: Немилов С. В. Сергей Владимирович
Publicado em: (Санкт-Петербург, Лань, 2018)
Физические основы электроники. Контакты металл–полупроводник учебно-методическое пособие
por: Дорогой С. В.
Publicado em: (Новосибирск, НГТУ, 2019)
por: Дорогой С. В.
Publicado em: (Новосибирск, НГТУ, 2019)
Вакуумная электpонно-лучевая наплавка каpбидосталей. Ч. III. Влияние числа пpоходов на стpуктуpно-фазовое состояние композиционных покpытий на основе стали P6М5; Сварочное производство; № 7
Publicado em: (2009)
Publicado em: (2009)
Получение и термические свойства молибденофосфатных стёкол; Химия и химическая технология в XXI веке
por: Васильева А. В.
Publicado em: (2018)
por: Васильева А. В.
Publicado em: (2018)
Registros relacionados
-
Изучение выпрямляющих свойств электронно-дырочного перехода учебно-методическое пособие
por: Владимирова Л. Н.
Publicado em: (Воронеж, ВГУ, 2019) -
Моделирование состава стеклопокрытия для защиты p-n перехода; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
por: Нестеренко А. А.
Publicado em: (2023) -
Лавинный пробой p-n - перехода в полупроводниках
por: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Publicado em: (Ленинград, Энергия, 1980) -
Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения; Современные техника и технологии; Т. 1
por: Гущин В. А.
Publicado em: (2012) -
Элементы оптоэлектроники учебное пособие
por: Богатиков Е. В.
Publicado em: (Воронеж, ВГУ, 2010)