Разработка составов стёкол для защиты p-n перехода
| Parent link: | Химия и химическая технология в XXI веке: материалы XXV Юбилейной Международной научно-практической конференции студентов и молодых ученых имени выдающихся химиков Л.П. Кулёва и Н.М. Кижнера, посвященной 100-летию со дня рождения профессора В.П. Лопатинского, 20-24 мая 2024 г., г. Томск/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет.— .— Томск: Изд-во ТПУ, 2024 Т. 1.— 2024.— С. 66-67 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Комаров Д. В. |
| Weitere Verfasser: | Дитц А. А. Александр Андреевич (727) |
| Zusammenfassung: | Заглавие с экрана Текстовый файл |
| Veröffentlicht: |
2024
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/83138 |
| Format: | Elektronisch Buchkapitel |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=677069 |
Ähnliche Einträge
Моделирование состава стеклопокрытия для защиты p-n перехода
von: Нестеренко А. А.
Veröffentlicht: (2023)
von: Нестеренко А. А.
Veröffentlicht: (2023)
Изучение выпрямляющих свойств электронно-дырочного перехода учебно-методическое пособие
von: Владимирова Л. Н.
Veröffentlicht: (Воронеж, ВГУ, 2019)
von: Владимирова Л. Н.
Veröffentlicht: (Воронеж, ВГУ, 2019)
Лавинный пробой p-n - перехода в полупроводниках
von: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Veröffentlicht: (Ленинград, Энергия, 1980)
von: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Veröffentlicht: (Ленинград, Энергия, 1980)
Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения
von: Гущин В. А.
Veröffentlicht: (2012)
von: Гущин В. А.
Veröffentlicht: (2012)
Элементы оптоэлектроники учебное пособие
von: Богатиков Е. В.
Veröffentlicht: (Воронеж, ВГУ, 2010)
von: Богатиков Е. В.
Veröffentlicht: (Воронеж, ВГУ, 2010)
Электроника учебное пособие
von: Соколов О. А.
Veröffentlicht: (Санкт-Петербург, СПБГУ ГА им. А.А. Новикова, 2022)
von: Соколов О. А.
Veröffentlicht: (Санкт-Петербург, СПБГУ ГА им. А.А. Новикова, 2022)
Проверка формулы Шокли для р-п-перехода и определения ширины запрещенной зоны германия
von: Фетисов И. Н.
Veröffentlicht: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2007)
von: Фетисов И. Н.
Veröffentlicht: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2007)
Полупроводниковые приборы и их применение учебное пособие
von: Астапенко Э. С.
Veröffentlicht: (Томск, ТГАСУ, 2021)
von: Астапенко Э. С.
Veröffentlicht: (Томск, ТГАСУ, 2021)
Физика полупроводниковых приборов
von: Гришаев В. Я.
Veröffentlicht: (Саранск, МГУ им. Н.П. Огарева, 2020)
von: Гришаев В. Я.
Veröffentlicht: (Саранск, МГУ им. Н.П. Огарева, 2020)
Электроника учебно-методическое пособие
von: Салахова А. Ш.
Veröffentlicht: (Казань, КНИТУ-КАИ, 2020)
von: Салахова А. Ш.
Veröffentlicht: (Казань, КНИТУ-КАИ, 2020)
Частотная модуляция с помощью емкостей p-n переходов
von: Чудаков И. М. Игорь Михайлович
Veröffentlicht: (Москва, Связь, 1968)
von: Чудаков И. М. Игорь Михайлович
Veröffentlicht: (Москва, Связь, 1968)
Физико-химические свойства полупроводниковых материалов
von: Ермолаева В. И.
Veröffentlicht: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006)
von: Ермолаева В. И.
Veröffentlicht: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006)
Твердотельная электроника учебно-методическое пособие
von: Ковалев А. Н.
Veröffentlicht: (Москва, МИСИС, 2010)
von: Ковалев А. Н.
Veröffentlicht: (Москва, МИСИС, 2010)
Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]
von: Кудряшов В. Е.
Veröffentlicht: (2003)
von: Кудряшов В. Е.
Veröffentlicht: (2003)
Физические основы электроники конспект лекций для обучающихся по образовательным программам высшего образования по направлениям подготовки 11.03.02 инфокоммуникационные технологии и системы связи и 11.03.04 электроника и наноэлектроника
von: Булатов В. Н.
Veröffentlicht: (Оренбург, ОГУ, 2018)
von: Булатов В. Н.
Veröffentlicht: (Оренбург, ОГУ, 2018)
Микро- и наноэлектроника: Сборник задач и примеры их решения учеб. пособие
von: Драгунов В. П.
Veröffentlicht: (Новосибирск, НГТУ, 2015)
von: Драгунов В. П.
Veröffentlicht: (Новосибирск, НГТУ, 2015)
Расчёт и исследование характеристик усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером электронное учебно-методическое пособие
von: Дорохин М. В.
Veröffentlicht: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012)
von: Дорохин М. В.
Veröffentlicht: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2012)
Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах p-n-p-n структуры
von: Арефьев А. А. Александр Афанасьевич
Veröffentlicht: (Москва, Радио и связь, 1982)
von: Арефьев А. А. Александр Афанасьевич
Veröffentlicht: (Москва, Радио и связь, 1982)
Электроника курс лекций по дисциплине «электроника и микропроцессорная техника» для студентов, обучающихся по направлению подготовки 13.03.02 «электроэнергетика и электротехника», профили: «электроснабжение», «релейная защита и автоматизация электроэнергетических систем» (все формы обучения)
von: Евдокимов А. П.
Veröffentlicht: (Волгоград, Волгоградский ГАУ, 2018)
von: Евдокимов А. П.
Veröffentlicht: (Волгоград, Волгоградский ГАУ, 2018)
Термодинамика наноразмерных систем
von: Тарасевич Ю. Г.
Veröffentlicht: (Гродно, ГрГУ им. Янки Купалы, 2022)
von: Тарасевич Ю. Г.
Veröffentlicht: (Гродно, ГрГУ им. Янки Купалы, 2022)
Физика p - n-переходов
Veröffentlicht: (Рига, Зинатне, 1966)
Veröffentlicht: (Рига, Зинатне, 1966)
Распределение потенциала, поля и концентраций носителей тока в области сильного поля вплавленных p-n-переходов и pin-структур Ч. 1
von: Рябинкин Ю. С.
Veröffentlicht: (1960)
von: Рябинкин Ю. С.
Veröffentlicht: (1960)
Распределение потенциала, поля и концентраций носителей тока в области сильного поля вплавленных p-n-переходов и pin-структур Ч. 2
von: Рябинкин Ю. С.
Veröffentlicht: (1960)
von: Рябинкин Ю. С.
Veröffentlicht: (1960)
Полупроводниковые приборы
von: Белоусов В. Н.
Veröffentlicht: (Москва, МИЭТ, 2013)
von: Белоусов В. Н.
Veröffentlicht: (Москва, МИЭТ, 2013)
Промышленная электроника. Часть 1. Лабораторный практикум для студентов бакалавриата по направлениям подготовки 09.03.01 «Информатика и вычислительная техника», 15.03.04 «Автоматизация технологических процессов и производств», 18.03.01 «Химическая технология», 18.03.02 «Энерго- и ресурсосберегающие процессы в химической технологии, нефтехимии и биотехнологии» всех форм обучения
von: Лурье М. С.
Veröffentlicht: (Красноярск, СибГУ им. академика М. Ф. Решетнёва, 2023)
von: Лурье М. С.
Veröffentlicht: (Красноярск, СибГУ им. академика М. Ф. Решетнёва, 2023)
Effect of N2 to total pressure ratio on the structure, mechanical and tribological properties of magnetron-sputtered Ti-Al-Ta-Si-N coatings
Veröffentlicht: (2024)
Veröffentlicht: (2024)
Влияние температуры и времени на угол смачивания стеклом монокристалла кремния
von: Комаров Д. В.
Veröffentlicht: (2024)
von: Комаров Д. В.
Veröffentlicht: (2024)
Полупроводниковые элементы электронных устройств
von: Орлов Г. А.
Veröffentlicht: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
von: Орлов Г. А.
Veröffentlicht: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
Управляемые полупроводниковые вентили. Принцицы действия и области применения p-n-p-n устройств пер. с англ.
Veröffentlicht: (Москва, Мир, 1967)
Veröffentlicht: (Москва, Мир, 1967)
СВЧ фазовращатели и переключатели. Особенности создания на p-i-n-диодах в интегральном исполнении
von: Хижа Г. С. Георгий Степанович
Veröffentlicht: (Москва, Радио и связь, 1984)
von: Хижа Г. С. Георгий Степанович
Veröffentlicht: (Москва, Радио и связь, 1984)
Технология и оборудование производства силовых полупроводниковых приборов учебник для техникумов
von: Булкин А. Д. Анатолий Дмитриевич
Veröffentlicht: (Москва, Энергоатомиздат, 1984)
von: Булкин А. Д. Анатолий Дмитриевич
Veröffentlicht: (Москва, Энергоатомиздат, 1984)
Электроника учебное пособие
von: Пигарев Л. А.
Veröffentlicht: (Санкт-Петербург, СПбГАУ, 2017)
von: Пигарев Л. А.
Veröffentlicht: (Санкт-Петербург, СПбГАУ, 2017)
Пространства типа Соболева-Винера и асимптотические свойства их функций
von: Янов С. И.
Veröffentlicht: (Барнаул, АлтГПУ, 2007)
von: Янов С. И.
Veröffentlicht: (Барнаул, АлтГПУ, 2007)
Влияние способа сваpки на стpуктуpу и свойства сваpных соединений pазноpодных сталей
von: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Veröffentlicht: (2009)
von: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Veröffentlicht: (2009)
Физические основы электроники. Контакты металл–полупроводник учебно-методическое пособие
von: Дорогой С. В.
Veröffentlicht: (Новосибирск, НГТУ, 2019)
von: Дорогой С. В.
Veröffentlicht: (Новосибирск, НГТУ, 2019)
Моpфология повеpхности титана ВТ1-0 после электpовзpывного легиpования алюминием и электpонно-пучковой обpаботки
Veröffentlicht: (2009)
Veröffentlicht: (2009)
Физические основы электроники учебное пособие для обучающихся по образовательным программам высшего образования по направлениям подготовки 11.03.02 инфокоммуникационные технологии и системы связи, 11.03.03 конструирование и технология электронных средств и 11.03.04 электроника и наноэлектроника
von: Булатов В. Н.
Veröffentlicht: (Оренбург, ОГУ, 2019)
von: Булатов В. Н.
Veröffentlicht: (Оренбург, ОГУ, 2019)
Физические основы микроэлектроники и наноэлектроники. Физические основы элементной базы полупроводниковой электроники и работы полупроводниковых устройств учебное пособие для студентов бакалавриата по направлению подготовки 11.03.03 «проектирование и технология электронных средств»
von: Климовский А. Б.
Veröffentlicht: (Ульяновск, УлГТУ, 2021)
von: Климовский А. Б.
Veröffentlicht: (Ульяновск, УлГТУ, 2021)
Фотоиндуцированное окрашивание кварцевых стекол
von: Овчаров А. Т.
Veröffentlicht: (1986)
von: Овчаров А. Т.
Veröffentlicht: (1986)
Новые методы расчета электрических полей и пробивных напряжений p-n переходов в полупроводниковых приборах монография
von: Петров Б. К. Борис Константинович
Veröffentlicht: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 2008)
von: Петров Б. К. Борис Константинович
Veröffentlicht: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 2008)
Ähnliche Einträge
-
Моделирование состава стеклопокрытия для защиты p-n перехода
von: Нестеренко А. А.
Veröffentlicht: (2023) -
Изучение выпрямляющих свойств электронно-дырочного перехода учебно-методическое пособие
von: Владимирова Л. Н.
Veröffentlicht: (Воронеж, ВГУ, 2019) -
Лавинный пробой p-n - перехода в полупроводниках
von: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Veröffentlicht: (Ленинград, Энергия, 1980) -
Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения
von: Гущин В. А.
Veröffentlicht: (2012) -
Элементы оптоэлектроники учебное пособие
von: Богатиков Е. В.
Veröffentlicht: (Воронеж, ВГУ, 2010)