Язык
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
ISBN/ISSN
Метка
Идентификатор
Найти
Расширенный поиск
Modification of silicon under...
Отправить по sms
Отправить по sms:
Modification of silicon under synergy of high-intensity implantation of titanium ions and energy influence of a high-power ion beam on a surface; Materials. Technologies. Design; Т. 6, № 1
Номер:
Провайдер:
Выбрать носитель
Alltel
AT&T
Cricket
Nextel
Sprint
T Mobile
Verizon
Virgin Mobile