Modification of silicon under synergy of high-intensity implantation of titanium ions and energy influence of a high-power ion beam on a surface; Materials. Technologies. Design; Т. 6, № 1
| Parent link: | Materials. Technologies. Design.— .— Уфа: Изд-во УУНиТ Т. 6, № 1.— 2024.— С. 91-96 |
|---|---|
| Ente Autore: | |
| Altri autori: | , , , , , |
| Riassunto: | Title screen Methods of modifying surface and near-surface layers of materials and coatings by ion beams can be applied in many fields of science and technology. To practically implement the technologies for the targeted improvement of the performance properties of parts and products for various purposes, it is of great interest to develop the methods of deep ion doping of near-surface layers of semiconductor materials, as well as metals and alloys due to the enhancement of radiation-stimulated diffusion under conditions when the irradiated sample’s deep layers are not subjected to significant temperature impact. This work studies the features and regularities of the implementing the synergy of high-intensity titanium ion implantation at current densities of several hundred milliamps per square centimeter with simultaneous energy impact of a submillisecond ion beam with a power density reaching several tens of kilowatts per square centimeter on the surface. This work is the first to show that the synergy of high-intensity ion implantation and the energy impact of a high power density ion beam, taking the titanium implantation into silicon as an example, provides the possibility of increasing the ion doping depth from fractions of a micron to 6 microns by increasing the irradiation time from 0.5 to 60 min Методы модификации поверхностных и приповерхностных слоев материалов и покрытий ионными пучками находят применение во многих областях науки и техники. Развитие методов глубокого ионного легирования приповерхностных слоев полупроводниковых материалов, а также металлов и сплавов благодаря усилению радиационно-стимулированной диффузии в условиях, когда глубокие слои облучаемого образца не подвергаются значительному температурному воздействию, представляет значительный интерес для практической реализации технологий направленного улучшения эксплуатационных свойств деталей и изделий различного назначения. Настоящая работа посвящена исследованию особенностей и закономерностей реализации синергии высокоинтенсивной имплантации ионов титана при плотностях тока в несколько сотен миллиампер на квадратный сантиметр с одновременным энергетическим воздействием на поверхность пучка ионов субмиллисекундной длительности с плотностью мощности, достигающей нескольких десятков киловатт на квадратный сантиметр. Впервые показано, что синергия высокоинтенсивной имплантации ионов и энергетического воздействия пучка ионов высокой плотности мощности, на примере имплантации титана в кремний, обеспечивает возможность роста глубины ионного легирования от долей мкм до 6 мкм за счет увеличения времени облучения от 0,5 до 60 мин Текстовый файл AM_Agreement |
| Lingua: | inglese |
| Pubblicazione: |
2024
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | https://elibrary.ru/item.asp?id=65668153 |
| Natura: | MixedMaterials Elettronico Capitolo di libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=675329 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 675329 | ||
| 005 | 20241028092756.0 | ||
| 090 | |a 675329 | ||
| 100 | |a 20241010d2024 k||y0rusy50 ba | ||
| 101 | 0 | |a eng | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i |b e | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 183 | 0 | |a cr |2 RDAcarrier | |
| 200 | 1 | |a Modification of silicon under synergy of high-intensity implantation of titanium ions and energy influence of a high-power ion beam on a surface |f A. V. Gurulev, A. I. Ivanova, D. O. Vakhrushev [et al.] |d Модификация кремния в условиях синергии высокоинтенсивной имплантации ионов титана и энергетического воздействия мощного ионного пучка на поверхность |z rus | |
| 203 | |a Текст |b визуальный |c электронный | ||
| 283 | |a online_resource |2 RDAcarrier | ||
| 300 | |a Title screen | ||
| 320 | |a References: 20 tit. | ||
| 330 | |a Methods of modifying surface and near-surface layers of materials and coatings by ion beams can be applied in many fields of science and technology. To practically implement the technologies for the targeted improvement of the performance properties of parts and products for various purposes, it is of great interest to develop the methods of deep ion doping of near-surface layers of semiconductor materials, as well as metals and alloys due to the enhancement of radiation-stimulated diffusion under conditions when the irradiated sample’s deep layers are not subjected to significant temperature impact. This work studies the features and regularities of the implementing the synergy of high-intensity titanium ion implantation at current densities of several hundred milliamps per square centimeter with simultaneous energy impact of a submillisecond ion beam with a power density reaching several tens of kilowatts per square centimeter on the surface. This work is the first to show that the synergy of high-intensity ion implantation and the energy impact of a high power density ion beam, taking the titanium implantation into silicon as an example, provides the possibility of increasing the ion doping depth from fractions of a micron to 6 microns by increasing the irradiation time from 0.5 to 60 min | ||
| 330 | |a Методы модификации поверхностных и приповерхностных слоев материалов и покрытий ионными пучками находят применение во многих областях науки и техники. Развитие методов глубокого ионного легирования приповерхностных слоев полупроводниковых материалов, а также металлов и сплавов благодаря усилению радиационно-стимулированной диффузии в условиях, когда глубокие слои облучаемого образца не подвергаются значительному температурному воздействию, представляет значительный интерес для практической реализации технологий направленного улучшения эксплуатационных свойств деталей и изделий различного назначения. Настоящая работа посвящена исследованию особенностей и закономерностей реализации синергии высокоинтенсивной имплантации ионов титана при плотностях тока в несколько сотен миллиампер на квадратный сантиметр с одновременным энергетическим воздействием на поверхность пучка ионов субмиллисекундной длительности с плотностью мощности, достигающей нескольких десятков киловатт на квадратный сантиметр. Впервые показано, что синергия высокоинтенсивной имплантации ионов и энергетического воздействия пучка ионов высокой плотности мощности, на примере имплантации титана в кремний, обеспечивает возможность роста глубины ионного легирования от долей мкм до 6 мкм за счет увеличения времени облучения от 0,5 до 60 мин | ||
| 336 | |a Текстовый файл | ||
| 371 | 0 | |a AM_Agreement | |
| 461 | 1 | |t Materials. Technologies. Design |c Уфа |n Изд-во УУНиТ | |
| 463 | 1 | |t Т. 6, № 1 |v С. 91-96 |d 2024 | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a ion implantation | |
| 610 | 1 | |a energy impact | |
| 610 | 1 | |a temperature field dynamics | |
| 610 | 1 | |a radiation-stimulated diffusion | |
| 610 | 1 | |a deep ion doping | |
| 610 | 1 | |a synergy | |
| 610 | 1 | |a titanium ions | |
| 610 | 1 | |a silicon | |
| 610 | 1 | |a surface modification | |
| 610 | 1 | |a vacuum arc | |
| 610 | 1 | |a infrared pyrometer | |
| 610 | 1 | |a ионная имплантация | |
| 610 | 1 | |a энергетическое воздействие | |
| 610 | 1 | |a динамика температурных полей | |
| 610 | 1 | |a радиационно-стимулированная диффузия | |
| 610 | 1 | |a глубокое ионное легирование | |
| 610 | 1 | |a синергия | |
| 610 | 1 | |a кремний | |
| 701 | 1 | |7 ba |a Gurulev |b A. V. |c physicist |c Engineer of Tomsk Polytechnic University |f 1998- |g Aleksandr Valerjevich |x TPU Portal |y Tomsk |9 88686 | |
| 701 | 1 | |a Ivanova |b A. I. |c physicist |c Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University |f 1987- |g Anna Ivanovna |9 20002 | |
| 701 | 1 | |a Vakhrushev |b D. O. |g Dimitry Olegovich | |
| 701 | 1 | |a Korneva |b O. S. |c physicist |c engineer of Tomsk Polytechnic University |f 1988- |g Olga Sergeevna |9 20156 | |
| 701 | 1 | |a Efimov |b D. D. |g Dmitry Davidovich | |
| 701 | 1 | |a Chernyshev |b A. A. |g Artem Alekseevich | |
| 712 | 0 | 2 | |a National Research Tomsk Polytechnic University |c (2009- ) |9 27197 |4 570 |
| 801 | 0 | |a RU |b 63413507 |c 20241010 | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 856 | 4 | |u https://elibrary.ru/item.asp?id=65668153 |z https://elibrary.ru/item.asp?id=65668153 | |
| 942 | |c CR | ||